Cambridge GaN网络研讨会教程

一系列教程重点介绍了GaN用于高效功率转换和CGD的高压技术IceGaN

英国无晶圆厂清洁技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）推出一系列新的网络研讨会教程，面向正在为下一次活动评估GaN功率器件的设计师、工程师和管理人员。

在本系列中，CGD的GaN专家将分享了他们对GaN高效功率转换的见解，以及CGD的高压技术ICeGaN如何实现易用性和最高性能。在第一期“用GaN为未来供电”中，CGD首席商务官Andrea Bricconi介绍了GaN的基础知识，并将其与传统硅解决方案和碳化硅（SiC）相比较，强调广泛采用GaN的潜在好处。

Bricconi评论道：“GaN在电力电子领域的诸多优势——尤其是效率和功率密度——已经得到了广泛报道。但所有职位的人都会对GaN以及如何在设计中最好地利用GaN产生疑问。本系列教程解决了所有这些问题，并提供一个讨论论坛。”

在概述了GaN对提高能源效率的影响及其对环境可持续性的贡献之后，网络研讨会的与会者了解了目前可用的不同GaN技术背后的概念。

此外，还简要介绍了CGD及其产品组合，包括ICeGaN系列——业界首个易于使用且可扩展的650 V GaN HEMT系列。这些IC是单片eMode HEMT器件，可以像MOSFET一样驱动，无需特殊的栅极驱动器、复杂且有损的驱动电路、负电压供应要求或额外的箝位元件。器件极其可靠和坚固，适用于苛刻的应用环境。

该系列的后几集将更深入地探讨该技术及其应用。要注册即将举行的网络研讨会，请访问CGD的网站。