Tesla恐让碳化矽产业猪羊变色？学界态度保留

中山大学成功生长6寸导电型4H碳化矽单晶，晶体生长速度更快且具重复性。中山大学

Tesla将大砍下时代电动车碳化矽（SiC）用量75%，业界担忧恐让碳化矽产业猪羊变色，但学界指出，Tesla在耐高温的部分仍用碳化矽，而低温的部分则是用矽，两者分开封装，碳化矽仍是必要材料，电动车与充电桩需求仍是巨大。

第三类半导体材料碳化矽晶体已被视为重要战略物资，是发展电动车、6G通讯、国防、航太、绿能的关键要素，虽然碳化矽在高电压和高功率的表现优异，且散热性佳，但制作困难，晶体生长的技术门槛高，需大量时间及经验，台湾目前投入生产的企业发表的生长速度约在150~200um／hr之间，晶体稳定性与良率仍有待提升。

中山大学材料与光电科学学系教授兼国际长周明奇指出，中山大学晶体研究中心已成功长出6寸导电型N-type 4H碳化矽SiC单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长速度更快且具重复性，象征第三类半导体碳化矽向前推进的进程。

另外，包括生长晶体的长晶炉、存放材料的容器坩埚、热场设计、生长参数及晶体缺陷检验等，所有关键技术与设备设计、组装全部都可MIT，不倚赖国外厂商，可上下游一条龙自主培养合作厂商生态链，从学术研发链结到产业制造，更能撙节研发生产成本。

周明奇指出，台湾半导体产业独步全球，但在推进高功率元件、电动车及低轨卫星等先进应用的过程，却缺乏成熟的第三类半导体材料碳化矽的晶体生长技术，发展受到限制。而中山大学团队在取得碳化矽晶体生长关键突破后，将进一步透过技转，第一阶段将会技转至长期产学合作的企业。

此外，目前4 寸、6 寸硅片为碳化矽市场主流尺寸，并逐渐朝向8寸转进。展望未来，中山大学团队已投入8寸导电型4H碳化矽生长设备研发设计，2023年将持续推进碳化矽晶体生长核心技术，也正打造高真空环境，研发生长半绝缘碳化矽（Semi-insulating Silicon Carbide; SI.-SiC），希望为台湾取得材料、制程、设备三大关键环节的自主能力。

近期Tesla传出将大砍下时代电动车碳化矽用量75%，周明奇强调，原文是说Tesla耐高温的部分仍用碳化矽，而低温的部分用矽，两者分开封装，预期碳化矽材料因应电动车与充电桩需求仍是巨大。周明奇强调，每个材料的独特性质需经多年验证，而新材料欲取代或现有材料要退场，须考量多重因素，例如材料的工作环境及稳定性等。

责任编辑：张兴民