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来源:中科院半导体所发布时间:2023-03-052215浏览
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文章来源:LightScienceApplications
原文作者:Light新媒体
图1通过闪局部加热的电可切换超表面像素利用闪局部加热实现的电可调孔阵列超表面像素的实现原理如图1所示。由电子驱动系统控制触点施加电势,电流流过对应超表面像素顶部的导电氧化铟锡(ITO)层,使得ITO因其欧姆电阻发出热量。由于热光效应引起硅折射率的变化,相应地导致超表面的共振漂移和共振波长处透明度的突变。冷却是通过自然热传导和热辐射。图1b显示了孔阵列超表面的模拟透射光谱,及对应的电场分布(MD磁偶极子;ED电偶极子)。
图2超构表面的调控性能图2a为在室温(蓝色0V)和驱动4V偏压后在780 nm处样品的热光响应。由于热光效应,超表面温度升高导致谐振器的折射率发生变化,随后导致谐振波长发生偏移。该设计使得将电开关转换为局部闪加热,受热光效应影响体现为光学开关。图2b和2c为电压-温度模拟曲线和对应的光功率情况。其中(i)采用方波信号,而(ii)为改进的非对称下降阶跃信号。这里所采用的下降尖峰电压偏置确保了更快的加热曲线,使得系统切换时间控制在亚毫秒量级(625 μs内光功率从10%增至90%),远快于视频帧速。
图3 超表面的时间调制图3展示了超构表面开关的稳定性、可重复性和可调性。在20 s内电压偏置开关频率从0.25 Hz增加到100 Hz,后锁定2s,再以反对数方式经20 s降低到0.25 Hz(3 V阶跃电压偏置,占空比为0.5)。然而,在较高的开关频率(30 - 100 Hz) 下,光学响应的最小值和最大值逐渐增加和减少。为此,图3b和3c进一步研究了3-3.8 V电压下的光功率,其中观察到的最小光功率(基线)水平增加,而最大光功率水平在更高频率下降低。这一现象的产生是由于基板和ITO微加热器中累积的局部热量导致的,由于0 V下的弛豫时间短于冷却至室温的时间(~68 ms),因此系统会积聚热量。它响应了基线的增加,导致共振波长偏离激光波长。图3d和3e为光学图像和SEM。
图4 可寻址超构表面像素图4将四个孔阵列超表面分别定义为显示器的四个像素。每个像素可以通过不同微加热器独立控制。在室温下760 nm处表现出共振。在5 V偏置电压的微加热器加热时,该共振经红移至780 nm。为此以100 ms的间隔施加了持续时间为100 ms的5 V脉冲。超表面由波长为780 nm的激光束照亮,并成像到CCD上。图4b-e显示为对应的开启和关断情况。转载内容仅代表作者观点
编辑:陆定辞

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