内存主导前沿芯片制造：三星、美光和SK海力士占前沿产能的76%

集微网消息，据eeNews报道，Knometa Research的全球晶圆产能报告称，到2022年底，三星、美光和SK海力士占领先晶圆产能的76%。

Knometa将晶圆制造分为四个部分：前沿工艺、次前沿工艺、成熟工艺和大尺寸工艺。

前沿定义为3nm至6nm的代工制造，4nm至7nm的Intel制造，11nm至14nm的DRAM和≥176层的3D NAND。具有多层的3D NAND可以具有更宽松的横向几何形状，以及制造穿硅连接的复杂性。

根据这个定义，到2022年底，三星、美光和SK海力士占前沿产能的76%，其中绝大部分用于先进DRAM和3D NAND生产。

其他晶圆定义是：

次前沿：7nm到16nm代工，10nm到14nm英特尔MPU，15nm到20nm DRAM，64L到144L 3D NAND

成熟：20nm到110nm逻辑，>20nm DRAM

大尺寸：≥130nm工艺

到2022年底，三星是业界前沿和次前沿产能的最大来源。该公司是业界最大的DRAM和NAND闪存产品供应商，也是低功耗等先进逻辑产品的最大制造商之一 、用于三星智能手机的高性能应用处理器和用于无晶圆厂半导体行业的SoC。

台积电是业界顶级的纯晶圆代工厂，在所有四个工艺生成组中均名列前五名。TSMC拥有39条晶圆厂生产线，可提供多样化的工艺技术组合，以满足各类客户的需求。联电和中芯国际等其他纯晶圆代工厂在成熟技术领域发挥着重要作用。

作为业界领先的模拟和以模拟为中心的混合信号IC供应商，德州仪器(TI)是年底大尺寸工艺的最大产能来源。STMicroelectronics是业界最大的模拟和微控制器产品供应商之一，这些产品通常采用成熟且功能强大的工艺制造。（校对/武守哲）