65亿定增获受理，士兰微强化高端功率半导体布局

3月1日，士兰微发布公告称，公司向特定对象发行股票的申请已获上交所受理。

据悉，士兰微拟向不超过35名特定对象发行A股股票，募集资金总额不超过65亿元，主要用于以下项目：

士兰微指出，年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）的建设是公司在高端功率半导体领域的核心战略规划之一，是公司积极推进产品结构升级转型的重要举措。

年产36万片12英寸芯片生产线项目

年产36万片12英寸芯片生产线项目的实施主体为公司控股子公司士兰集昕，募集资金将通过士兰微向士兰集昕增资的方式投入。

该项目将建设形成一条年产36万片12英寸功率芯片生产线，用于生产FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片产品；项目达产后，可新增FS-IGBT功率芯片12万片/年、T-DPMOSFET功率芯片12万片/年和SGT-MOSFET功率芯片12万片/年的生产能力。

SiC功率器件生产线建设项目

SiC功率器件生产线建设项目的实施主体为公司的参股子公司士兰明镓，募集资金将通过士兰微向士兰明镓增资的方式投入。值得一提的是，本次增资后，士兰微将取得士兰明镓的控制权。

该项目是在士兰明镓现有芯片生产线及配套设施的基础上，通过购置生产设备提升SiC功率器件芯片的产能，用于生产SiC MOSFET、SiC SBD芯片产品；项目达产后，将新增SiC MOSFET芯片12万片/年、SiC SBD芯片2.4万片/年的生产能力。

据悉，2019年起，随着SiC MOSFET/SBD芯片在新能源汽车电驱系统形成明确的应用，同时SiC功率器件在汽车应用领域得到持续推广，士兰微加快布局SiC MOSFET/SBD芯片和功率模块的研发。

目前，国内车规级SiC功率器件供应商的产品以SiC二极管为主，而士兰微通过自身6英寸SiC MOSFET/SBD功率器件芯片中试线，目前已完成平面SiC MOSFET/SBD的研制，性能指标达到国内领先水准。同时，作为国内主要的半导体IDM企业之一，士兰微在车规级SiC功率器件的芯片设计、制造及封装测试环节均有布局，在产品技术水平、供应链稳定性、产能等方面均具备优势。

汽车半导体封装项目（一期）

汽车半导体封装项目（一期）的实施主体为士兰微控股子公司成都士兰，募集资金将通过公司向成都士兰增资的方式投入。

该项目将在现有功率模块封装生产线及配套设施的基础上，通过购置模块封装生产设备提升汽车级功率模块的产能；项目达产后，可新增年产720万块汽车级功率模块。（化合物半导体市场 Winter整理）

更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：化合物半导体市场。