恩智浦借助RapidRF加速5G设计

编者按：本文作者恩智浦半导体射频功率解决方案战术营销人员Megan Faust，集微网经授权转发。

Open RAN（O-RAN）发展势头强劲，在全球迅速普及，恩智浦通过打造增强型参考设计，助力5G O-RAN的快速部署。这包括采用恩智浦RapidRF Smart LDMOS前端解决方案（称为“SL系列”）将射频功能集成到客户的设计中。

恩智浦第2代RapidRF前端参考板可节省电路板空间，降低整体复杂性，并为TDD蜂窝应用提供完整的即用型电路。与前几代一样，第二代RapidRF参考板实现完全匹配的放大器50欧姆输入和50欧姆输出。这样可构成完整的产品系列，无需调整即可轻松使用。

RapidRF参考电路展示了恩智浦的PA、预驱动器、带T/R开关的Rx低噪声放大器以及环形器的完整布板

第2代RapidRF参考板还搭载了自偏置控件的PA模块，该模块出厂时预置了最佳偏置点，也可以针对不同应用通过可编程串行接口进行调整。该集成自偏置控件具有新颖的闭环反馈电路，它调节LDMOS栅极电压，保持约束静态偏置电流，用于连续温度跟踪。该集成式精密温度传感器可通过串行接口接入，能够精确监测PA的工作温度。板上已经安装了恩智浦完整的TX/RX系列，尺寸更小，重量更轻，可简化5G mMIMO射频设计。该系列适用于mMIMO射频单元（64T64R）、室外小蜂窝以及大功率宏基站的驱动器。

RapidRF Smart LDMOS前端设计框图

性能不打折

RapidRF整体设计紧凑，但仍提供卓越的性能。它集成的Doherty功率放大器采用10mm x 8mm封装，在额定功率下能效提高了40%。该设计还包含一个线性预驱动器、带T/R开关的Rx低噪声放大器和一个环行器。

RapidRF系列的近距离视图，展示了模块和附加组件

对于要求天线平均发射功率为2.5至8 W（34-39 dBm）的5G射频单元，RapidRF参考板是上佳选择。用于多个频段的多种型号采用通用的PCB布板，简化了设计和制造，加快了产品面市速度。

下载RapidRF简介，了解有关恩智浦的主要特性、优势和目标应用的详细信息。

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全新RapidRF板可在恩智浦网站订购。网站上提供覆盖了3.4~4.0GHz的广泛的参考电路。

如需了解恩智浦RapidRF“SL”前端设计的更多信息，请访问：nxp.com/RapidRFSL。

作者：

Megan Faust

恩智浦半导体射频功率解决方案战术营销人员

Megan是恩智浦半导体射频功率解决方案营销团队的战术营销人员。Megan Faust曾与恩智浦射频移动通信基础设施和多市场领域团队合作。恩智浦RP应用包括SiGe、LDMOS和GaN射频解决方案设计，适用于移动和通信基础设施以及消费电子、工业和航空航天/国防领域。恩智浦射频功率营销团队致力于使射频更易于使用，为客户提供支持，并应对新的细分市场中的问题。Megan负责射频器件和评估板的物流、运营和分销支持，同时支持恩智浦射频功率的创新和市场开发。Megan获得了亚利桑那州立大学（Arizona State University）的商业文学学士学位和应用商业数据分析认证。