美拟限制三星SK海力士在中国生产先进芯片

《韩联社》和《路透社》周四 (23 日) 报导，美国可能限制三星电子、SK 海力士等韩企在中国生产的先进半导体水平，以免先进技术落入敌手。

拜登政府去年 10 月 7 日颁布对中国的芯片禁令，以此限制中国的相关技术及军事实力，两家公司取得为期一年的豁免期，获准继续在中国生产相关产品。

针对韩国半导体两大巨头豁免到期后的后续动作，负责工业和安全事务的美商务部副部长艾斯特伟斯 (Alan Estevez)  周四在华府智库战略与国际研究中心 (CSIS) 主办的论坛中表示：「美方可能对韩企在中国的成长程度设限，那些公司会被要求停留于目前所处的堆栈层数，或其技术范围内某水平。」

艾斯特伟斯强调：「我们处在技术驱动军力的世界... 半导体是这些技术的核心，美方将与韩企进行深入对话，我们必须阻挡敌手 (中国) 的威胁，否则，威胁将指向我们。」

艾斯特伟斯称：「美方将与韩企合作，以确保这不会伤害盟友的公司，与此同时，我们将一同限制中国构成威胁的能力。」

三星电子在中国陕西省设有生产 NAND 快闪存储器芯片的工厂，三星当地 NAND 快闪存储器厂的 40% 产量为中国市场。SK 海力士先前收购英特尔在大连的 NAND 快闪存储器芯片制造业务，并在另一座中国工厂生产 DRAM 芯片，SK 海力士中国 DRAM 厂也有 40% 产能是当地销售。

继先前美国、日本和荷兰联手实施出口管制后，美国也希望与韩国联手，力阻中国的崛起、重创长江存储等中企，以及保护处于弱势的美国存储器芯片制造商。

来源：钜亨网