6.98亿，国产射频芯片龙头国博电子拟开展二期项目

昨（22）日，国产射频芯片龙头国博电子宣布，根据射频集成电路产业化项目整体规划，拟使用自有或自筹资金购买位于南京市江宁区金鑫西路以东、凤矿路以西地块的土地使用权（最终购买金额和面积以实际出让文件为准），并开展射频集成电路产业化项目二期建设。

项目与公司已建设的项目一期地块为相邻区域，投资预计为6.98亿元，其中土地使用权购置费预计0.40亿元，设计采购施工总承包费用预计6.02亿元。

据公告，若国博电子本次成功购得标的地块，计划在接收标的土地之日起的6个月内开工建设，并在开工后24个月内完成竣工验收备案，预计在竣工验收之日后24个月实现达产。

国博电子成立于2000年，主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品主要包括有源相控阵T/R组件、砷化镓基站射频集成电路等，覆盖军用与民用领域，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路相关产品的领先企业。

图片来源：拍信网正版图库

根据招股书，公司直接控股股东为国基南方，持有公司 39.81%的股份。中国电科通过国基南方、中国电科五十五所和中电科投资间接控制公司61.62%的股份，为公司实际控制人。

公司于2022年7月上市，上市大涨39.08%，市值达388亿元。

2022年前三季度，公司主营收入26.61亿元，同比上升59.71%；归母净利润4.02亿元，同比上升37.63%；扣非净利润3.86亿元，同比上升38.48%。

其中，第三季度主营收入9.25亿元，同比上升73.29%；单季度归母净利润1.4亿元，同比上升40.6%；单季度扣非净利润1.32亿元，同比上升38.45%。（文：化合物半导体市场 Amber整理）

更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：化合物半导体市场。