R课堂 | 使用新一代SiC MOSFET降低损耗实证 —前言—

来源:罗姆半导体集团发布时间:2023-02-151727浏览

关键要点

・SiC MOSFET因其在降低功率转换损耗方面的出色表现而备受关注。

・以DC-DC转换器和EV应用为例，介绍使用新一代（第4代）SiC MOSFET所带来的优势–降低损耗。

在电动汽车（EV）、数据中心、基站、智能电网等领域，由于更高电压、更大容量的电源可以提高便利性，因此电源的电压和容量呈现出显著提高的趋势，而从保护全球环境的角度来看，如何降低能耗已成为非常重要的课题。在这些应用中，是需要通过功率转换将电力转换为适当值来使用电源的，而在功率转换过程中会产生能量损耗。在高电压、大容量的应用中，这种损耗是不容忽视的大问题，近年来市场上强烈要求降低功率转换过程中的能耗，也就是要求提高功率转换效率。

SiC功率半导体的特点是支持高频工作，而且在高电压、大容量条件下的能量损耗非常低，因此这种产品作为提高功率转换效率的有效方法而备受关注。ROHM能够为众多应用提供SiC功率半导体产品。目前，ROHM已经推出了第4代SiC MOSFET，正在为降低功率转换损耗贡献着重要力量。

在本系列文章中，我们通过降压型DC-DC转换器和EV应用，来介绍第4代SiC MOSFET新产品在实际应用中在降低损耗方面的出色表现。本系列预计发布以下文章：

●第4代SiC MOSFET的特点

●在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果

> 电路工作原理和损耗分析
> DC-DC转换器实机验证

●在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果

> EV应用
> 装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
> 图腾柱PFC实机评估

在降压型DC-DC转换器应用部分，将为大家讲解开关损耗、传导损耗、体二极管损耗、反向恢复损耗等损耗发生机制，并介绍使用具有出色高速开关性能的第4代SiC MOSFET时的损耗降低效果。

在EV应用部分，将为您介绍针对EV的电源解决方案。在牵引逆变器应用部分，将通过接入电机试验台实施的模拟行驶试验的结果，来介绍第4代SiC MOSFET的特性和效果之间的关系。另外，在车载充电器（OBC）的组件之一——图腾柱PFC部分，将通过在实际电路板上安装第4代SiC MOSFET来介绍转换器的特性提升效果。

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