Diodes公司发布首款 SIC SBD

宽带隙肖特基势垒二极管带来了提高效率和高温下可靠的好处

Diodes 宣布推出其首款 SiC 肖特基势垒二极管 （SBD）。该产品组合包括DSCxxA065系列和DSCxx120系列，前者有11个额定电压为650V的产品（4A、6A、8A和10A），后者有8个额定电压为1200V的产品（2A、5A和10A）。

这些宽带隙 SBD 具有显著提高效率和高温可靠性的优势，同时还满足了市场对降低系统运行成本和低维护的需求。

这些器件适用于 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 开关转换器、光伏逆变器、不间断电源和工业电机驱动应用。这些器件还可用于各种其它电路，例如用于功率因数校正的升压转换器。

据称，这些SiC器件的效率优于传统的硅基产品，并为电源设计人员提供了不折不扣的产品性能优势，例如：

由于低电容电荷 （QC），开关损耗可忽略不计，可在快速开关应用中提供高效率。这适用于具有更高功率密度和更小整体解决方案尺寸的电路设计。

三种封装选项包括表面贴装 TO252-2（WX 型）、通孔 TO220AC（WX 型）和 ITO220AC（WX-NC 型）。

DSCxxA065 和 DSCxx120 系列的千片批购价分别为 1.24~2.33 美元和 1.70~6.68 美元。