国产芯片再获新技术，无需EUV光刻机也能实现7纳米，ASML慌了

美国眼见着中国已量产14纳米，开始不断收紧限制，最近更是拉拢了ASML、尼康等光刻机企业，试图从先进光刻机上着手，阻止中国研发更先进的10纳米、7纳米技术，然而近期中国有芯片企业却公布了一项新技术，可以用现有的DUV光刻机就能量产10纳米乃至7纳米工艺。

据悉中国一家芯片企业已研发了一项SAQP技术，这项技术可以利用现有的DUV光刻机开发出10纳米工艺，证明中国基于现有的芯片设备在芯片制造工艺方面又迈出了重要一步。

业界人士指出SAQP技术不仅可以利用现有的DUV光刻机开发10纳米工艺，还能进一步开发出7纳米工艺。这是完全有可行性的，日本的NIL工艺就无需EUV光刻机可以开发出5纳米工艺，美光开发的1－beta工艺也无需EUV光刻机，台积电第一代7纳米工艺同样是以DUV光刻机生产。

SAQP全称是四重曝光技术，即使以现有的DUV光刻机经过多重曝光，最终实现10纳米乃至7纳米的量产，这样的方式可以有效降低成本，毕竟EUV光刻机的价格可是DUV光刻机的数倍，美光选择绕开EUV光刻机就是为了节省成本，而性能方面却能接近EUV光刻机的工艺。

如今中国也成功研发出无需EUV光刻机的先进工艺，对于中国芯片来说无疑是巨大的进步，尤其是这种方式还能大幅降低先进工艺的成本，有助于增强中国芯片的竞争力，此前美国家电制造商就认可了中国芯片的超低成本优势，这是中国芯片所特有的竞争优势。

中国开发的SAQP技术，说到底还是基于现有的硅基芯片技术，而硅基芯片以美国为首的西方经济体近百年的积累，让他们拥有了足够的领先优势，中国在硅基芯片技术上终究只能成为跟随者，为了真正实现赶超，中国已开始研发更先进的芯片技术。

中国已分别筹建了全球第一条光子芯片生产线、量子芯片生产线，这将推动这两项先进芯片技术早日实现商用，这些芯片技术可以将芯片性能提升千倍，而功耗大幅下降，这才是未来的先进芯片技术。

另一项先进芯片技术被称为石墨烯技术，中国同样也在推进，并已有多家中国企业取得石墨烯技术专利；美国也在力推石墨烯芯片技术，美国一家初创芯片企业表示在现有硅基芯片注入碳纳米管，以90纳米生产的芯片性能却比7纳米芯片提升50倍性能。

这些先进芯片的技术商用，将彻底变革当下的硅基芯片技术，将再也无需EUV光刻机等先进光刻机，这对于ASML无疑将是巨大的打击。事实上ASML也已认识到它的第二代EUV光刻机量产，基本就已经到了硅基芯片的极限，全球芯片行业需要引入更先进的芯片技术，而中国加速了这些先进芯片技术的推进，将让ASML的辉煌提前结束。

中国芯片这几年的表现显示出中国芯片所具有的强大技术实力，如今在美国的压迫下，中国芯片行业已被激发了巨大的潜力，不断加速各种先进芯片技术的发展，一旦这些先进芯片技术实现商用，那么中国将取得领先优势，将再也不会受制于美国。

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