格芯收购瑞萨非易失性电阻式RAM技术，加强存储器产品组合

当地时间2月9日，晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布，已收购瑞萨电子（Renesas）的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器（CBRAM）技术，这是一种低功耗的存储器解决方案，旨在实现家庭、工业物联网及智能移动设备的一系列应用。

格芯表示，这项交易进一步加强了格芯的存储器产品组合，并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器（NVM）解决方案的路线图。这项技术将使客户能够进一步区分其SoC设计，并推动新一代安全和智能设备的发展。

据介绍，CBRAM具有低功耗、高读/写速度、制造成本降低以及对恶劣环境的耐受性的特点，适用于消费、医疗和部分工业应用。

2020年，格芯与Dialog半导体公司（该公司于2021年被瑞萨公司收购）达成了一项许可协议，将其CBRAM技术作为一种嵌入式、非虚拟的选择。目前，CBRAM正在该公司的22FDX平台上进行鉴定，并计划将其扩展到其他平台。

封面图片来源：拍信网