高新发展：芯未半导体10亿元功率半导体项目厂房已封顶

2月1日，高新发展在投资者互动平台表示，截至目前，芯未半导体建设各项工作进展顺利，厂房建设现已封顶，争取早日实现投产。

此前公告指出，2022年6月，高新发展及全资子公司成都倍特建设开发有限公司将以现金2.82亿元购买成都森未科技有限公司（以下简称“森未科技”）股权及其上层股东权益。

交易完成后，高新发展以直接和间接方式控制森未科技69.401%的股权，取得森未科技控制权。同时，拟以现金195.9706万元购买高投集团持有的芯未半导体98%股权，芯未半导体是2022年初森未科技与高投集团成立的合资企业。

据成都日报报道，2022年8月，成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目开工。该项目总投资约10亿元，运营方为成都高投芯未半导体有限公司，主要从事IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率半导体芯片及产品的设计、开发、销售。项目建成投产后，将为功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组建产品等，实现年营收9亿元。

该项目占地30亩，计划分两期建设。其中，一期将建设一条8英寸超薄IGBT（绝缘栅双极型晶体管）特色背面晶圆线，一条高端功率半导体集成封装生产线。一期项目建成后，将形成年产120万只功率半导体模块制造能力，10万套集成组件生产能力

成都高投芯未半导体有限公司执行董事兼总经理胡强表示，按照计划，2023年6月将完成包括洁净厂房在内的所有装修工作，具备设备搬迁的条件。此外，2023年第三季度封装产线进入联调阶段，第四季度投入试生产，到2024年第一季度，IGBT背面超薄晶圆特色工艺平台也将投入使用，并将于2025年择机启动二期扩产建设。

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