一种高线性度的2.4 GHz CMOS功率放大器设计

来源:电子技术应用ChinaAET发布时间:2023-01-16878浏览

作者：王家文1，2，潘文光1，2作者单位1.中国科学院大学微电子学院，北京100049；2.南京中科微电子有限公司，江苏南京210018。摘要：为了满足目前物联网低成本、低功耗与较高线性度的市场应用需求，提出了一种高线性度的2.4 GHz功率放大器(PA)。该功率放大器为两级结构，为了提高增益的同时保持较低的静态功耗其驱动级采用了电流复用两级共源放大结构，并且使用了两级失真抵消的方法减小了晶体管跨导非线性的影响，同时采用二极管线性化偏置来补偿寄生电容非线性导致的增益压缩现象。该功率放大器采用0.18 μm CMOS工艺，后仿真结果表明，在2.4 GHz工作频率下，该PA小信号增益为30 dB，输出1 dB压缩点为22 dBm，静态功耗为53 mW，功率附加效率峰值为31%。引言：作为信息技术产业第三次革命的物联网技术高速发展，对应用于物联网的无线收发机也提出了低成本、低功耗与高集成度的新需求[1-2]，作为无线收发机中核心模块的CMOS功率放大器(PA)也得到了广泛的关注与研究。降低功耗的主流方法为栅极偏置技术，通过调整不同的偏置来达到降低功耗的目的，但通过调整偏置电压降低功耗会恶化PA线性度，电流复用技术凭借其可以在保证较高增益的同时降低功耗的优点也在射频CMOS电路设计中得到了广泛应用[3-6]。随着现代通信调制方式的复杂化程度越来越高，对PA的线性度要求也在不断地提高，这就常会要求PA工作在功率回退状态下，但这是通过降低效率来提高线性度。针对CMOS PA同样有很多线性化方法被提出，主要有最佳偏置技术、预失真技术、多栅晶体管技术、电容补偿技术等，这些线性化方法通常会被结合使用来使PA线性度达到满意的水平[7-12]。为了达到低功耗高线性度的要求，本文基于0.18 μm CMOS工艺设计了一种两级线性功率放大器，其中驱动级使用电流复用结构提供较高增益的同时保持较低的静态功耗，同时使用了两级失真抵消与二极管线性化技术改善PA线性度。该PA为射频前端芯片的一部分，整体射频前端芯片主要包括PA、低噪声放大器(LNA)与射频开关，目前整体射频前端芯片已完成版图设计与后仿真验证并递交制造厂进行流片。
文章来源：《电子技术应用》杂志12月刊点击下方阅读原文，下载论文PDF