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来源:芯榜发布时间:2023-01-15277浏览
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根据Wolfspeed预计，2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元，2026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。当前SiC功率器件价格较高，是硅基IGBT的3~5倍左右，但凭借优异的系统节能特性，SiC器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。
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安森美：all in碳化硅！未来5-10年碳化硅产能不会过剩自去年10月安森美收购GTAT以后，其对新的企业部门进行了投资并扩大了产能，预计今年年底产能增长5倍。“基于GTAT生产的晶圆衬底，在2022年我们已经有器件产品出货了。”
安森美总裁兼首席执行官CEO透露，“2022-2023年安森美在碳化硅方面的资本支出将会达到总收入的15%-20%，其中75%-80%将用于碳化硅的产能扩张。”
安森美公司收购GTAT刚好一年，SiC收入有望在2022年增加两倍，并根据长期服务协议（LTSA）的承诺收入在23年实现10亿美元的收入。
对于产能过剩的风险，安森美表示资本支出的增加短期会对公司的毛利造成一些压力，但安森美相信未来市场足够大，足以支持投资和产能的扩张。
“未来5-10年，我们认为碳化硅的市场还是会比较紧缺，不会出现产能过剩的情况。”安森美CEO说道。
“2022年碳化硅业务的营收是2021年的3倍，证明了安森美在这方面有生产和产能扩张的能力，我们会继续扩充产能，在未来3年预计可以实现40亿美元的碳化硅收入。”
安森美是全球汽车半导体龙头，聚焦智慧电源及智慧感知业务。安森美前身为1999年摩托罗拉分拆的半导体部门，2000年美股上市，后陆续收购众多半导体制造商，在全球建立生产基地和设计工厂。2021年，公司收购碳化硅厂商GTAT，增强碳化硅领域布局实力。2021财年，公司实现营收67.4亿美元，同比增长28.13%；归母净利润10.1亿美元，同比增长339.13%。
安森美战略转型：all in碳化硅，彰显汽车野心。安森美收入包含电源方案部（功率）、先进方案部（模拟、混合信号、逻辑）及智能感知部（CIS），下游涵盖汽车、工业、通讯、消费等。2020年12月，El-Khoury出任公司新CEO；2021年8月，公司变更品牌名（去“半导体”化）及LOGO，彰显对于汽车下游的重视。碳化硅作为远期核心增长点，在公司营收比重不断提升。而IDM转Fab-liter模式，也切实推动公司盈利能力改善。
英飞凌的 SiC 制造能力将增加十倍
与此同时，2023年1月12日，Resonac与英飞凌签订了新的多年合同。
与英飞凌达成的新的多年期协议扩展了 2021 年签署的现有 150mm SiC 晶圆协议，并且是英飞凌计划在本十年末扩大其 SiC 制造能力以达到 30% 的市场份额计划的一部分。
到 2027 年，英飞凌的 SiC 制造能力将增加十倍。居林的新工厂计划于 2024 年投产，该公司已经为全球 3,600 多家客户提供 SiC 半导体。
作为合作的一部分，英飞凌将为 Resonac 提供与 SiC 材料技术相关的知识产权。英飞凌凭借这一专长于 2018 年收购了材料公司 Silectra。
高技术门槛导致第三代半导体材料市场以日美欧寡头垄占，国内企业在SiC衬底方面以4英寸为主。目前，国内已经开发出了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底，山东天岳公司、北京天科合达公司和河北同光晶体公司分别与山东大学、中科院物理所和中科院半导体所进行技术合作与转化，在SiC单晶衬底技术上形成自主技术体系。国内目前已实现4英寸衬底的量产；同时山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能均已完成6英寸衬底的研发；中电科装备已成功研制出6英寸半绝缘衬底。
图：海外碳化硅产业链
国内碳化硅衬底竞争对比
我国碳化硅衬底项目已近30家碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率高等显著性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域具有广阔的市场前景。近年来，随着5G基站的建设以及特斯拉MODEL 3和比亚迪汉的热卖，碳化硅衬底市场风起云涌。据中国电子材料行业协会半导体材料分会统计我国从事碳化硅衬底研制的企业已经有30家（不包括中国电科46所、硅酸盐所、浙江大学和天津理工大学等纯研究机构），近年来这些单位的规划总投资已经超过300亿元，规划总产能已经超过180万片/年。推荐关注：
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