安森美宣布推出EliteSiC系列

新型 1700 V EliteSiC 器件可在能源基础设施和工业驱动应用中提供可靠、高效的运行

安森美已将EliteSiC作为其SiC系列的名称。它将在本周拉斯维加斯举行的消费电子展（CES）上展出该系列的三个新成员—— 1700 V EliteSiC MOSFET和两个1700 V额定重复性雪崩击穿EliteSiC 肖特基二极管。

凭借1700 V EliteSiC MOSFET （NTH4L028N170M1），安森美提供了高功率工业应用所需的更高击穿电压（BV）SiC解决方案。两个 1700 V 额定重复性雪崩击穿EliteSiC 肖特基二极管（NDSH25170A、NDSH10170A）使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，同时提供 SiC 带来的高效率。

安森美电源解决方案集团执行副总裁兼总经理Simon Keeton表示：“通过提供一流的效率和更低的功率损耗，新的1700 V EliteSiC器件加强了我们EliteSiC系列产品的卓越性能和质量的高标准，并进一步扩展了安森美EliteSiC的深度和广度。结合我们的端到端SiC制造能力，安森美提供了技术和供应保证，以满足工业能源基础设施和工业驱动供应商的需求。”

可再生能源应用不断转向更高的电压，太阳能系统从 1100 V 到 1500 V 直流母线。为了支持这一变化，客户需要具有更高BV值的MOSFET。新型 1700 V EliteSiC MOSFET 提供 -15 V/25 V 的最大 Vgs 范围，使其适用于栅极电压提高到 -10V 的快速开关应用，从而提高系统可靠性。

在 1200 V、40A的测试条件下，1700 V EliteSiC MOSFET 可实现 200 nC 的栅极电荷 （Qg），与接近 300 nC 的同等竞争器件相比，这被认为是市场领先的。低 Qg 对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高效率至关重要。

在 1700 V 的 BV 额定值下，EliteSiC 肖特基二极管器件在二极管的最大反向电压 （VRRM） 和峰值重复反向电压之间提供了更好的裕量。新器件还提供出色的反向漏电流性能，25°C 时的最大反向电流 （IR） 仅为 40 μA，175°C 时的最大反向电流 （IR） 仅为 100 μA，明显优于通常在 25°C 时额定电流为 100 μA 的竞争器件。