国星光电参编发布两本产业调研白皮书 涉及第三代半导体
来源:半导体产业网发布时间:2023-01-101059浏览
询问 AI近日，国星光电作为A级单位参编的《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》与《2022氮化镓功率与射频产业调研白皮书》在行家说第三代半导体SiC和GaN先进技术发展及应用研讨会上发布。凭借在第三代半导体领域积累的实战经验及扎实的创新研发能力，国星光电在两本白皮书中详细展示了最新的产品布局及创新技术的应用场景，并积极联合产业链上下同向发力，共同推动第三代半导体产业蓬勃发展。
▲两本白皮书重点围绕发展现状、产能、产品特点、技术动向及发展趋势等热点话题进行全面详细梳理和深入剖析，旨在为企业布局、产业投资和政策落地提供全面、权威的重要信息窗口。
国星布局
2019年，国星光电研究院启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作，朝着高可靠性及高品质的“三代半功率器件封测企业”的方向奋力前行。经过创新技术的迭代更新，国星光电SiC（碳化硅）及GaN（氮化镓）产品线不断扩展，以智能化、模块化、定制化、高端化的方向，逐步形成品类丰富、品质上乘的产品布局，并与多家知名厂商建立良好的合作关系。
▲覆盖多个应用领域的产品类型
国星产品
SiC分立器件产品
国星光电SiC功率分立器件已形成SiC-SBD及SiC-MOSFET两条拳头产品线，拥有TO-247封装、TO-220封装、TO-263封装、TO-252封装、DFN5*6五种封装结构。应用方面，SiC-SBD重点推广到黑白家电等领域，而SiC-MOSFET可用于光伏逆变、储能、充电桩、大型驱动、UPS不间断电源等工业级领域，并向车规领域靠拢。
其中，国星光电以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS系列产品，在开关损耗、开通损耗、开关频率等方面优势明显，可为新能源领域市场提供更优的技术解决方案。
SiC模块产品
基于数字化验证技术，国星光电推出了多款高可靠性SiC功率模块，并规划出NS34m、NS62m、NSEAS、NSECO系列共四类可量产的标准封装类型产品，可应用于太阳能发电、新能源汽车、新能源动车、电网传输、风力发电等领域。其中，国星光电NS62m功率模块新品依托SiC MOSFET芯片的优异性能，在降低系统成本、提升系统效率等方面表现出色，系列产品型号丰富，可响应不同封装及规格的SiC功率模块定制开发需求。
GaN器件产品
瞄准照明及大功率驱动市场，国星光电已建成DFN5*6和DFN8*8两大类的GaN器件产品线，推出650V/10A、650V/12A、650V/15A、650V/17A的E-mode系列产品与650V/12A、650V/13A、650V/23A的 Cascode系列产品，可根据客户需求提供定制化技术解决方案。
值得一提的是，结合LED原有的下游应用优势，国星光电成功开发出多款SIP(system in pakage)封装的电源管理IC，进一步丰富了GaN-IC的产品线，可在LED驱动电源、LED显示器驱动电源、墙体插座快充、移动排插快充等领域得以应用。
第三代半导体是国星光电延伸布局的重要方向。一方面，公司始终坚持自主创新，持续强化技术和产品优势；另一方面，公司充分发挥国星半导体和风华芯电的产业优势，强化协同效应，扩宽纵深布局，全力支撑公司打造半导体封测产业的链主地位，为我国第三代半导体产业高质量发展贡献力量。
（来源：国星光电）
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