三星3nm将采用高端EUV薄膜

据台媒DIGITIMES报道，三星电子将在其3nm工艺中采用透光率超过90%的最新EUV薄膜（pellicle）以提高良率，这些薄膜将来自韩国公司SS Tech。

光掩膜板材料（Blankmask）公司SS Tech在2021年生产成功开发出了透光率达90%的半导体EUV薄膜，一举成为除了ASML之外另一家成功开发出了透光率超过90%的EUV薄膜的公司。ChosunBiz报道，据业内人士透露，SS Tech最早将于2023年上半年进入透光率超过90%的EUV薄膜的批量生产。SS Tech的目标是应三星要求——将比率提高到94%。

在三星投资的半导体材料和设备供应商中，SS Tech获得了最多的投资资金。2020年7月，三星通过注资658亿韩元（5200万美元）获得了SS Tech的8%的股份。

据悉，薄膜在EUV工艺时代起着至关重要的作用，可以防止EUV受污染而导致良率性能不佳。

三星将采用透光率超过90%的薄膜，以尽量减少光源的损失并稳定其3nm芯片的生产良率。

据报道，目前还没有一家晶圆代工厂采用透光率超过90%的薄膜。目前，主要的EUV薄膜供应商包括荷兰的ASML、日本的三井化学、同属韩国公司的SS Tech和FST。三星现在投资SS Tech和FST，以开发自用EUV薄膜。

根据接受Business Next采访的专门从事半导体的分析师和专家估计，目前台积电的3nm良率可能低至60%至70%，也可能高达75%至80%。与此同时，金融分析师Dan Nystedt也在推特上表示，台积电目前的3nm良率与5nm良率在其生产初期相似，据媒体报道，其良率可能高达80%。

来源：集微网

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5.SiC PVT长晶技术液相法的现状及发展

6.8吋SiC国产化进程和技术突破

7.SiC市场以及技术发展难题解决方案

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9.GaN在快充市场中的发展及替代情况

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11.国产化与技术及设备发展机遇与挑战

12.其他第三代半导体发展前景

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