2023（春季）亚洲充电展新品推介 | 第一期
来源:充电头网发布时间:2023-01-052001浏览
询问 AI前言
亚洲充电展（ Asla Charging Expo ）简称 ACE ，由充电头网发起，展会立足现代化国际都市群粤港澳大湾区，是全球影响最为广泛的能源电子技术展会之一，也是亚洲屈指可数的充电行业技术产业盛会。得益于专业性强、参展商和观众覆盖精准，亚洲充电展在全球享有相当高的知名度。现已成为了全球各大电源企业发布产品信息和展示最新技术的窗口。
近年来，亚洲充电展吸引着来自全球数千家企业参与，覆盖快充、无线充、储能、新能源等领域，尤其是在推进快充、无线充技术的应用与普及，亚洲充电展对行业贡献深受赞誉。众多行业人士已经将这一展会规划为每年重要行程。
目前已有近两百家厂商率先公布即将亮相2023（春季）亚洲充电展的新品，这期新品推介，共有24款产品，分别来自芯塔电子、真茂佳、捷捷微、英嘉通、森国科、时科、Transphorm Inc.、辰达、沃尔德、思开、高特、华润微、方舟微、美浦森、英诺赛科、安森德。
2023（春季）亚洲充电展展位布局如上图所示，大会共包含4个主要展区，分别为A区、B区、C区、D区，大会论坛区设于A区。参会观众可根据展位布局，快速找到参展企业。
展位及新品介绍
以下厂商排名不分先后，按展位顺序排序。
安徽芯塔电子科技有限公司
展位号：B29
安徽芯塔电子科技有限公司是国内领先的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商，坚持以自主创新为核心，致力于先进半导体功率器件的国产化。公司位于皖江城市带承接产业转移示范区安徽省芜湖市高新区。核心技术团队来自浙江大学、中科院、海外知名院校及业界知名头部企业，具有深厚的产品研发能力和产业化经验。
公司已完成一系列的产品研发和批量生产，包括6英寸SiC肖特基二极管芯片，650V-1200V 40多种规格的SiC肖特基二极管器件和模块，GaN HEMT芯片和器件，并且已经研发成功第五代肖特基二极管产品。具有芯塔电子自主知识产权的SiC 1200V 80mΩ MOSFET芯片已经开发完成，性能对标国际一线品牌，满足客户需求，可实现国产替代。
目前，芯塔电子已逐渐形成比较完整的功率器件产品体系，产品在高端电源领域通过验证，进入了行业标杆客户，同时在军工、新能源汽车、充电桩等领域进行了送样和销售。2021年销售额近400万元，预计2022年销售收入将超过3000万元。
芯塔电子新一代SiC MOSFET选型表
芯塔电子DFN8*8封装碳化硅二极管产品采用无引脚设计，降低杂散电感，使器件可以应用于更高频率，具有正温度系数，可直接并联使用。同时，产品封装厚度<1mm，适于PD快充紧凑设计，可根据功率密度和散热要求灵活选用。
TD5G08065M详细资料。
芯塔电子碳化硅MOSFET技术团队通过优化设计，结合先进的晶圆减薄技术，进一步提高了器件的功率密度和效率，可以应用在更高频的环境，从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，对比前一代产品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的抗干扰能力。芯塔电子本次发布的 SiC MOSFET 器件低优值因子QG x RDS(on)是产品最大的亮点之一。优值因子数值越低说明器件的综合损耗越小，效率更高。
TM2G0040120K详细资料。
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深圳真茂佳半导体有限公司
展位号：B44
深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向、技术领先的功率半导体国家高新技术企业。公司创始团队具有20年以上的功率半导体制造管理、市场开发经验，核心研发人员均拥有至少15年以上功率半导体器件的设计经验；其中海外设计人员长期从事汽车级MOSFET产品的设计开发，也是国际上少数最早参与车用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的设计人员。
公司基于汽车功率半导体器件平台技术打造高可靠性产品，目前主要产品有沟槽MOSFET (20-200V )、SGT MOSFET ( 30-150V )、超级结 MOSFET ( 600-900V )、集成快恢复二极管 MOSFET ( 500-600V )、SIC 二极管650V-1200V、SIC MOSFET 650V-1200V、650V GaN HEMT。同时公司完全掌握IGBT 产 品设计与工艺技术，将根据市场需求择时推出相关产品。目前公司有TO、SOP、DFN、SOT、 WLCSP、TOLL、模块等系列封装形式，并持续开发更高功率密度，可靠性，散热性能的封装形式。
公司主要应用领域有汽车、电机驱动、手机电池保护 、大功率电源、新能源逆变，BMS等。其中在汽车、电机驱动、PD快充、适配器、通讯、电源、无线充、嵌入式系统、车充、手机电池保护等领域优势明显。公司秉承以客户为中心的经营理念, 通过持续创新、不断推出可引领行业的高效、高可靠性、高性价比的功率器件，持续为客户创造价值。
产品型号：ZMS012N06NC
ZMS012N06NC 具有超高的功率密度和性能，在DFN5*6封装中可以实现1.2mR的超低导通电阻，同时还具备超低的Qg和Qgd。
以上特性使得器件在应用中可以实现超高的工作效率和减少电源产品体积。该器件适合DC-DC和同步直流等应用场景，为系统提供小体积、高效率、高性价比解决方案。
ZMS012N06NC详细资料。
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江苏捷捷微电子股份有限公司
展位号：B45
捷捷微电（上海）科技有限公司坐落于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区，是一家专业从事功率半导体器件领域的设计、工艺研发和销售的集成电路设计公司，至今共申请34项发明及实用新型专利，获授权13项实用新型专利。陆续推出先进自有 JSFET®技术平台、耐压范围涵盖 30 ~ 150V 的 SGT MOSFETs；结合新型功率封装技术，性能对标国际一流，具行业领先的低导通阻抗及结电容/荷等电气特性。广泛应用在USB PD快充、AC/DC SMPS、电机驱动、锂电保护及电池管理、电脑及周边、5G通信及以太网 PoE++等终端。
捷捷微电持续聚焦新能源汽车和智能电网等应用，先后推出业界领先的30 ~ 150V车规级SGT MOSFETs产品，并持续增扩车规级功率组装测试线。采用符合JEDEC标准MO-299B、兼容国际大厂如Infineon 及Onsemi 的同类TOLL含自主知识产权PowerJE®10x12 封装的 JMSH1001ATL及 JMSH1504ATL，功率密度高且电气特性为国内领先水平，与欧美日同类产品不遑多让。
随着汽车智能化及辅助驾驶 (ADAS) 的普及，激发了对电子元器件的巨大增量需求；电动化和车联网趋势，使越来越多传统机械元件被更可靠更灵敏的半导体器件取代。捷捷微电 顺势而为，二十六年如一日的聚焦功率半导体，在人才建设、技术创新、生产制造和质量管理等方面积累了深厚的底蕴，在汽车产品及市场应用持续耕耘多年 ，以做好国产化替代为使命，持续为车企及Tier-1客户提供更多的产品选择和更好的服务。
陆续推出的67 款车规级 SGT MOSFETs，其芯片的设计制造及成品的封装测试，皆在符合 IATF 16949 品质管理的工厂完成 。每个器件也通过三批次、符合 AEC-Q101 标准的长期可靠性验证。优异的关键电气参数如导通电阻 (1.3 ~ 29.0mΩ) 、栅极电荷 (6.8 ~ 88.0nC) 、FOM (55 ~ 354) 等， 性能不输欧美大厂，已广泛被汽车前装及后装市场接受并大规模出货。
为实现与先进芯片的有机匹配，保证性能与高可靠性，在-55 ~ 175°C 温度区间内保持长期稳定工作，PDFN3x3/5x6-8L/-D 及TO-252/263-3/7L的封装，从框架到贴芯工艺、线材、悍接工艺等，均采用MSL1 等级及低机械温度应力材料。所有车规级SGT MOSFETs 皆不含卤素，且符合RoHS 要求。
目前捷捷微电 车规级 SGT MOSFET已广泛应用在以下几个领域：
1、直流升压驱动：资讯娱乐面板内mini/LED 背光、內饰环境 LED、矩阵 LED 车前照灯
2、半/全桥功率级：小/中功率 DC 及 BLDC 马达驱动（车身控制模组、油泵、电子助力转向）、Qi 兼容无线充电板
3、高/低侧电源开关：车载高性性运算 (GW, DC/DC)、副边同步整流
4、负载开关：传统及新能源车的各种母线系统的电子设备
5、Type-C®电源输出端：VBUS输出开关
Automotive SGT MOSFET产品组合表。
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苏州英嘉通半导体有限公司
展位号：B54
英嘉通半导体有限公司成立于2019年2月，位于深圳南山区科技园和苏州相城区高铁新城。公司组建了一支由华为、中兴、国内外知名公司工作多年的团队，在功率半导体领域深耕十多年，具有坚实的芯片设计能力及丰富的半导体产品销售经验。
英嘉通目前已推出多款成熟的650V氮化镓功率产品，器件成本竞争优势明显，技术种类齐备，已经得到市场广泛的认可，为不同的功率应用场景提供最简单、经济、高效的解决方案。
英嘉通GaN家族的多种器件类型能够满足不同的客户设计需求，基于英嘉通GaN系列的PD快充方案和适配器方案，具有高功率密度、高效率、低成本、低待机功耗等特点，功率应用范围涵盖5W至300W，性能参数比肩现有商用氮化镓功率器件。
英嘉通大功率新品发布，单颗超2KW功率，引领行业，披荆前行
IGC6C120DF、IGC6C030D产品图
英嘉通半导体发布多款大功率氮化镓功率器件，针对充电桩、储能、大功率电源等应用，引领行业，将氮化镓落地工业级、车规级领域。
四款主推规格具备650V耐压，阻值分布别为30mΩ，40mΩ，75mΩ和120mΩ，根据功率等级的不同，封装形式目前有TO247和TO220F可选。以30mΩ产品为例，单颗最高功率超过2000W。产品均延续CASCODE级联结构，具备高栅极可靠性、高阈值电压、高抗扰动能力等特点，该设计为GaN在传统大功率应用中的稳定工作提供坚实保障。产品对标传统650V COOLMOS竞品，同时兼容SiC竞品，原位替代，性能更优。
此次大功率产品采用INGACOM GaN To GoTM第二代技术，相比第一代芯片面积大幅降低。与行业最新GaN竞品对比，INGACOM第二代产品在成本竞争力上占据优势，更远胜于传统COOLMOS。
IGC6C030D详细资料。
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深圳市森国科科技股份有限公司
展位号：B76
深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事碳化硅功率器件及电机驱动芯片研发的国家高新科技企业。公司总部设立在深圳市南山区粤海街道科技生态园10A栋12层，在成都、苏州设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。
公司碳化硅产品线主营650V和1200VJBS和SBD碳化硅二极管，并在2022年推出全新碳化硅MOS管，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6吋车规级晶圆，具有高耐温，高频，高效，高压特性，已稳步进入国内主流电源、光伏上市公司供应链。
公司电机驱动芯片采用先进的驱动算法，优化电机的运行效率，满足客户调速曲线的同时，降低能耗， 通过集成度的提高，进一步优化外围电路，满足业内对高可靠性的要求，改善系统稳定性，同时帮助客户节约成本。产品满足单相、三相、FOC、集成Hall等控制模式，包括ASIC、GateDriver、MCU+GateDriver、IPM等各种类型，满足高压、中压、低压各种环境，广泛应用于风扇、吹风机、电动自行车、滑板车、筋膜枪、扫地机器人、吸尘器、空气净化器、水泵等领域。
公司在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下，以低成本创新为己任，努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，成为全球领先的功率半导体公司！
愿景： 成为全球领先的功率半导体厂商
使命： 打造绿色芯动力，赋能低碳加双碳
定位： “新材料+特色工艺”的新一代功率半导体公司
价值观： 成就客户、正直诚信，认真仔细，敬业爱岗，团队合作，主动创新，开放进取，自我批评。
产品型号：KM040120J
森国科碳化硅MOSFETKM040120J 采用业内领先的超精细元胞结构设计，优化栅氧电场，进一步提升电流密度，具备良好的正向特性和反向特性；
KM040120J 采用TO247-4引脚封装，采用Kelvin连接的信号源端子进行栅极驱动，可以降低封装内电源线电感的影响，从而进一步提高MOSFET芯片的高速开关性能；KM040120J 按照AecQ-101标准进行可靠性测试，并且通过所有的测试项，可靠性可以满足工业级以及车规级的应用需求。
KM040120J详细资料。
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广东時科微实业有限公司
展位号：B93
時科，源自台湾，全球知名的半导体分立元器件厂商之一，主要提供工程师与设计人员各种半导体産品与软件，爲汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用等产品带来更优质的感知体验。
自创办以来，在“让好产品拥有良芯”的核心理念指导下，以安全、低能耗、高性能爲宗旨，時科半导体的研发战略从来没有动摇过，近四分之一的员工在研发与産品设计领域工作，每年研发费用占总收入的22%左右，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，時科迅速发展，産品远销到北美、欧洲和亚太地区，被认为是半导体行业富有创新力的公司之一。
時科将会在安全、能耗和性能方面不断优化，更加灵活地满足设计工程师和不断变化的市场需要，从概念设计到生産制造，我们将提供全程支持。展望未来，我们将立足创新，不断爲客户、员工和全社会创造价值，通过降低能耗、改善安全，提升性能，重点关注如何利用技术研发改善公衆生活品质，我们将全力以赴，践行承诺。
产品型号：Q-SSC1565-TF
时科推出新品SIC肖特基二极管Q-SSCxx65系列丶Q-SSCxx90系列以及Q-SSCxx120系列。其具有TO-252丶TO-220-2L和TO-247-2L三种封装形式。电压有650V丶900V和1200V三种选择，电流规格范围为5~20A。
该产品具有耐高温高压丶更好的电子迁移率、更低的功率损耗丶在高频高温的环境下工作不影响可靠性的优势。适用于众多应用环境如：逆变器丶不间断电源丶HID照明丶电机驱动器丶大功率器件等。
Q-SSC1565-TF详细资料。
产品型号：SKGI8020
时科推出QFN8*8封装新品氮化镓整合IC，SKGI8020系列,该颗IC内含三合一芯片整合了整合控制器丶驱动器，还有高电子移动率电晶体HEMT。
具有多种优势：1.减少外部元件丶最小化PCB丶减少搭配问题丶降低零件成本费用丶2.IC内部温度感测与保护（温度误差小于5℃），比外部温度感测设计更具安全性.3.QFN8*8的封装可以有更佳的散热。适用于众多应用环境如：PD电源丶适配器丶汽车电源丶E-BIKE充电器丶服务器电源模块等。
SKGI8020详细资料。
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Transphorm Inc.
展位号：B94、95
Transphorm Inc, 股票编号: TGAN, 成立于２００７年， 是最早实现以硅晶圆作衬底而成功量产高压场效应管的生产厂家。目前拥有关于氮化镓研发和应用的专利超过１３００项。
同时亦是少数拥有自主研发，生产和应用的生产厂家。其位于美国加州和日本的工厂年产能达三万片。
本公司也是其中最早拿到国际功率器件验证JEDEC (JESE-22) 和AECQ101的ＧＡＮ 生产商之一。所生产的元件从２００９年开始已被广泛应用在大功率电源上， 包括服务器电源， 游戏机， 伺服器， 电动汽车等等。累计总运行量已达300亿现场器件小时数。而统计应用失效率接近零。
因应国内市场需要， Transphorm近年积极研发一系列快充的应用示范， 功率从４５瓦到至１０千瓦， 开关频率一般设定在２００Ｋｈｚ至 ４００Ｋｈｚ之间， 从而发挥氮化镓高速和低开关功耗优势，达致体积小，效率高的优势。
目前Transphorm在快充应用上, 开发了一系列样机实例, 包括:
65W 300Khz 92.29%@90V AC
140W PD3.1 Eff: 93.11%@90V AC
240W PD3.0 Eff: 93.5%@90V AC
330W TPPFC+LLC Eff:94.48%@90V AC
产品型号:330瓦TTPPFC+LLC架构PD及PPS电源适配器
Transphorm TP65H070LSG（SuperGaN FET）用于一次侧PFC高频开关，TP65H150G4LSG（SuperGaN FET）用于一次侧LLC半桥开关。该设计展示了由于Transphorm SuperGaN FET的高性能功率器件的应用，使实现更高功率密度和更高效率成为可能，同时也使达成更简洁的电路设计和更低的系统成本成为可能。
该参考设计是一个输出为20V/16.5A的330W通用输入离线电源，包括无桥图腾柱PFC升压转换器和具有二次侧同步整流的LLC半桥DC-DC转换器。当负载≥10%额定功率时无桥图腾柱PFC升压转换器在连续导通模式（CCM）下运行，当负载＜10%额定功率时进入BurstMode来提高轻载效率。无桥图腾柱PFC升压转换器的应用在确保电源获得高效率的同时可以支持90～264Vac的宽范围输入以适应全球电网。
该设计具备输入过压、欠压保护，输出过压保护，输出过载、短路保护，过温保护等多重保护功能，配置有软起动动能，使电源系统具备很高的可靠性。
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深圳辰达行电子有限公司
展位号：B115
公司成立于2008年，是一家专业研发生产销售MDD品牌二三极管，桥堆的国家高新技术企业。
公司通过了ISO9001:2008质量管理体系、ISO14001环境管理体系认证，产品通过美国UL认证，并符合欧盟RoHS、REACH环保要求，拥有多项专利，产品往贴片化小型化，低功耗方向延伸，可为客户提供量身定制与研发设计的专业服务，并可以提供满足客户需求的无卤素产品。
MDD辰达半导体：Mos新品发布+产能持续扩张，半导体业务筑梦前行
MOSFET新品首SHOW
M O S F E T 产 品
MDD为解决锂电池保护问题，推出新一代的国产MOSFET产品，能更好的保护锂电池的充放电安全问题，锂电池供电设备的安全性是人们目前高度关注的问题，所以对其的保护就非常重要，锂离子电池的保护主要包括过充电保护，过放电保护，过电池及短路保护等。
电池保护板作为电池系统的核心组成部分,是动力电池与外部世界的桥梁,决定着电池的利用率,其性能对电池使用成本和安全性至关重要。锂电池保护板的部件,对电池的安全担负着重要使命，它本身的性能和品质也是电池组性能和品质的一个重要因数。
锂电池的特点
锂电池是一类由锂金属或锂合金为正/负极材料、使用非水电解质溶液的电池。1912年锂金属电池由Gilbert N. Lewis提出并研究。20世纪70年代时，M. S. Whittingham提出并开始研究锂离子电池。由于锂金属的化学特性非常活泼，使得锂金属的加工、保存、使用，对环境要求非常高。随着科学技术的发展，锂电池已经成为了主流。
锂电池大致可分为两类：锂金属电池和锂离子电池。锂离子电池不含有金属态的锂，并且是可以充电的。可充电电池的第五代产品锂金属电池在1996年诞生，其安全性、比容量、自放电率和性能价格比均优于锂离子电池。由于其自身的高技术要求限制，只有少数几个国家的公司在生产这种锂金属电池。
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深圳市沃尔德实业有限公司
展位号：B117、118
沃尔德实业是专注于分离半导体器件及研发的国家高新技术企业，公司总部位于深圳。
我们致力于更高能效转换的半导体产品研发与设计，提供更加 专业的半导体元器件。
主要产品有低VF肖特基、肖特基桥式整流器、高压肖特基、类碳化硅肖特基、吸收二极管、软恢复桥、低VF桥等；目前在研究的产品包括氮化镓、MOS驱动桥、高压碳化硅等。我们提供高可靠度、高效率、低温升、超薄贴片型的产品。广泛应用于电源系统、通信设备、LED照明设备、各种家用电器，消费电子设备等。
目前产品已进入OPPO、努比亚、ABB、RECOM、GREE、倍思、绿联、洛克、麦多多、POWER4、GOOGLE等供应链。
逆变桥堆是将传统逆变器次级电路中四颗快恢复二极管通过技术研发和工艺调整将其整合为一个桥堆，四芯合一，目前产品已申请商标和专利。在传统逆变器次级整流电路中，用四颗快恢复二极管，将AC电压整流成DC电压。存在占用空间大，一致性要求较高，且元件需加工4次。逆变桥堆除改善以上痛点的同时，还可降低20%的整体成本，提升效率和EMI等性能。
产品型号：逆变桥堆[GBU2506E50]
产品图片及规格书：
目前广泛适用于户外储能，光伏逆变，UPS不间断电源，车载逆变器等相关储能逆变产品中，沃尔德逆变桥堆有7种封装（3种贴片，5种插件），电流从2A到80A，相位有单相和三相，总共40种型号，可满足目前市面上100-5000W储能逆变器需求。
GBU2506E50详细规格资料。
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深圳市思开半导体有限公司
展位号：C39、40
思开半导体(SkySemiconductor) 总部坐落于享有“中国硅谷”之称的深圳市南山区。是专业从事功率半导体器件研发、生产、销售的高科技企业。在重庆和上海分别设有研发中心，公司始终致力于推广性能卓越、质量稳定、极具价格竞争力的MOSFET产品。
思开半导体已经研发成功并量产的产品包含中低压Trench MOS、SGT MOS和超结MOS。产品广泛应用于锂电保护、新能源、电机控制、适配器快充、移动快充、消费类电子、通讯电源等。
思开半导体采用先进的封装，具有低栅极电荷和低导通电阻。可以多种微型、大功率封装的形式应用于储能、以及逆变前级。
产品型号：SS023N10LS
产品图片及规格书:
便携储能产品应用场景丰富，产品负载多样，工作环境广泛且条件恶劣，对产品工作稳定性要求高；同事为了方便携带，产品体积重量也要比较小，产品功率密度要求较高。思开半导体多样的产品品类和稳定的产品性能方便客户更好的设计产品。极低的FOM[Qg*RDS(on)]实现了低的导通和开关损耗，便于客户提高产品效率，做到更高的功率密度。优秀的EAS和SOA参数便于客户产品适应不同的负载应用。
SS023N10LS详细规格资料。
产品型号：SS014N04LS
产品图片及规格书:
SS014N04LS详细规格资料。
新产品主要有以下几个优势特点：1.超低的导通电阻和寄生电感。2.节省空间，提高功率密度和系统可靠性。3.出色的EMI表现和热性能，所需并联和散热部件较少。4.适用于电池管理、轻型电动汽车（LEV）、叉车、负载点电源等大功率应用。
深圳市高特微电子有限公司
展位号：C51：
深圳市高特微电子有限公司是一家专注于线路保护类器件和绿色能源方案设计、生产及营销一体的国家高新技术企业。
产品涵盖ESD防护器件、极快恢复二极管、低正向肖特基二极管、三极管及场效应管等产品，广泛应用于汽车电子、网络通讯、安防工控、智能终端及消费类电子产品等领域。
公司拥有国内外专业的产品研发和品质管控团队，坚持以“研发创新、品质保证、技术支持、成本优势、快速交付”为核心价值，以“合作伙伴共同利益最大化”为企业宗旨。贯彻执行ISO9001质量管理体系和ISO14001环境管理体系，持续完善，追求卓越。我们致力于与知名半导体商合作，竭诚为广大客户提供优质和高增值服务，携手业界同盟合作共赢。
PD充电器专用四合一静电防护器件—GESD5B244JDO
高特GESD5B244JDO是一款低电容双工作电压静电防护器件，专为保护PD快充协议芯片而设计，GESD5B244JDOＷ集成了两个5V双向防护通道和两个24V单向防护通道，均符合IEC 61000-4-2（ESD）4级（±15KV空气放电，±8KV接触放电）标准，其中5V双向防护通道可为DMP和DMC提供静电和浪涌保护；24V单向防护通道可为CC1和CC2提供静电和浪涌保护。
GESD5B244JDO采用DFN2510封装，外形尺寸仅2.5*1.0*0.5mm，依USB TYPE-C的脚位将工作电压排列24V/5V/5V/24V，单点接地；一颗GESD5B244JDO即可一次性为PD快充的DMP、DMC、CC1、CC2提供5V和24V双电压的静电防护需求，大大减少了PCB的占用空间、简化了布线的复杂性、减少SMT贴片次数、降低了元器件的成本。
GESD5B244JDO详细规格资料。
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华润微电子有限公司
展位号：C63
华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的高科技企业，是国内领先的集芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营的IDM半导体企业。
华润微电子集成电路事业群（Integrated Circuit Business Group，简称ICBG）
作为华润微电子旗下全面负责功率集成电路、智能传感器、智能控制、系统应用及方案设计与开发的业务单元，ICBG运用以产品线和区域销售为基础的业务组织模式，下设驱动及MCU、LED照明、消防及传感、智能电网应用、电动工具、光电、无线电力传输 、标准电路等产品线，聚焦集成电路业务领域，通过提供自主品牌的高性能、高可靠性的集成电路产品、模块和系统应用方案，持续为客户创造价值、服务市场。
ICBG致力打造中国功率集成电路著名品牌，成为中国功率集成电路及智能化系统解决方案的领先者。
符合Qi 标准的50W无线充电接收电路
典型应用示意图
CS4995是一颗单芯片无线充电接收电路，同时支持反向无线充电功能，最大支持60W无线充电接收或者10W无线充电发送。CS4995符合WPC Qi V1.2.4标准，集成高效全同步整流（接收）、全桥/半桥逆变器（发送）、高效稳压结构以及数字控制和通信模块，支持ASK及FSK双向通讯。主要用途是智能手机、数码设备、小家电。
CS4995作为无线充电接收电路时，接收交流功率信号，通过集成的高效同步整流转换成直流电压，再通过LDO电路输出稳定的电压；接收电路根据负载的情况，向发送电路不断发送CEP、功率包等指示，从而调整接收到的AC功率，实现稳定的无线充电传输。作为无线充电发送电路时，根据接收到的通讯包，通过解调解码电路、PWM产生电路、半桥/全桥逆变器产生AC信号，驱动外部的L-C谐振网络。
主要特性
◆Rx/Tx双工作模式
◆Rx模式最大输出20V/3A
◆支持WPC Qi V1.2.4标准
◆Rx模式输出电压可调(3.5V~20V，100mv/Step)
◆集成自驱动全同步整流
◆Tx模式集成全桥/半桥逆变器
◆内置过压、过流、过温和欠压保护
◆支持电压、电流和温度检测功能
◆集成12位高速ADC/DAC
◆内置20MHz高精度振荡器，系统时钟20MHz
◆32位微控制器ARM Cortex-M0，32K Program MTP，8K SRAM
◆两路32位Timer，两路16位Timer(带捕获功能)
◆16位Watchdog计数器
◆ASK/FSK硬件编解码
◆I2C Slave（支持时钟延展）/ UART
◆12路双向GPIO，管脚复用
◆Package PLPCSP53, 4X5mm,0.55mm
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成都方舟微电子有限公司
展位号：C66
(ARK) 成都方舟微电子有限公司成立13年来，专业从事功率半导体器件的研发、设计、生产与销售，并提供电源管理、电路保护解决方案，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。产品大量用于充电器、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网等领域。拥有华为、三星、LG、西门子、施耐德、伟创力、台湾飞宏、正泰电器、中电集团等大量优质客户。产品以高品质、高性能、低成本对标国外同类产品，实现国产替代，被国内外客户广泛采用。
公司创始人具有三十多年半导体行业研发与管理经验，团队包括：海归博士、国内顶尖大学硕士，及海外研发合作团队。所有产品均自主研发，相关技术已获发明专利，目前公司具有发明专利及集成电路布图近70项，是以自主研发为核心竞争力的半导体原厂。
ARK产品包括消费类和工业类两条产品线， 其中DMZ6005E、 DMZ1015E、DMZ1521E等系列产品，专为PD3.1快充定制开发，为大功率、宽电压输出的PD提供PWM IC 、同步整流IC供电并具有电路启动功能；30V~150V全系列增强型MOSFET海外生产，品质更高、价格更优、供货更有保证。ARK目前已与PI、ON、IWATT、立锜、昂宝、康源、华源智信、硅动力等设计公司有深入合作，是华为、荣耀、三星、小米、Google、VIVO、MEIZU、ANKER、RAVPOWER、SONY、LG、TP-LINK等客户的长期供应商。
采用传统三极管调节器实现PWM IC的VCC供电，需要数颗器件组成，占用空间，增加功耗。采用ARK（方舟微）的DMZ1315EL/DMX1315EL可以使PWM IC电源电路更加简化，该产品提供SOT-23及SOT-89封装，可根据耗散功率灵活选用。
ARK（方舟微）为快充定制研发的DMZ1315EL/DMX1315EL：Vds 130V的耗尽型NMOS，是原DMZ0615E/DMX0615E的升级版本，在QC2.0/3.0和Type-C/PD充电器电路中可作为高压线性稳压器。ARK特有的高阈值“UItraVt”技术，利用该器件的亚阈值特性VGS(OFF)在-13V到-20V之间，可以实现稳定的电压或电流输出，
DMZ1315EL/DMX1315EL详细规格资料。
Type-C/PD充电器启动阶段，通过DMZ8530E给电源IC供电，启动完成后，电源IC由附加绕组通过DMZ1315EL/DMX1315EL供电，此时，DMZ8530E用于高压开关节点的ZVS过零电压检测。
ARK（方舟微）新研发的DMZ8530E，耐压850V,在TI的高频有源箝位交直流反激变换器应用电路中，可用于ZVS过零电压检测。
DMZ8530E详细规格资料。
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深圳市美浦森半导体有限公司
展位号：C69、70、87、88
深圳市美浦森半导体有限公司 2014年成立,总部位于中国改革创新前沿的深圳蛇口,是一家专业功率半导体元器件设计公司。公司产品包括中大功率场效应管( 高中低压全系列产品, Trench MOSFET/SGT MOSFET /Super Junction MOSFET / Planar MOSFET) , SiC 二极管、SiC MOSFET等系列产品。
美浦森半导体在深圳/上海设有研发中心, 主要研发人员在产品研发和生产制程方面都具有丰富的行业经验, 平均行业经验在15年以上。在深圳建立有半导体功率器件测试和应用实验室,主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等,承担美浦森产品的研发质量验证。目前,美浦森半导体MOSFET和碳化硅系列产品在LED电源、PD电源、PC和服务器电源、光伏逆变、UPS、充电桩、智能家居、BLDC、BMS、小家电等领域得到广泛应用。
创新 高效 热爱 持续是美浦森半导体的核心价值; 用创新实现突破, 是公司不断前进的动力源泉。专业于MOSFET器件领域的拓展, 运用创新的电路设计和国际同步的研发技术, 成功研发出新一代MOSFET系列产品, 产品相关性能达到行业领先水平。我们始终坚持不断创新、不断突破, 始终保持产品第一、技术第一、服务第一的行业领先地位, 全心全意做好产品的开发与用户的极限体验 。
产品型号：SLM150N04G，SLM160N04G
新产品采用美浦森新一代 SGT MOSFET技术，具有更高的电流密度，内阻及栅极电荷的降低，具有良好的高频开关特性，极大降低了开关损耗，实现更高的电源转换效率 。
新产品拥有优越的SOA特性，大电流持续加载能力更强。结合先进的PDFN5X6超薄封装，更低的温升 ，更长的使用寿命，可靠性高。适用于电动工具，高密度电源，便携储能，DC/DC同步整流，机器人等。
SLM150N04G详细规格资料。
SLM160N04G详细规格资料。
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英诺赛科（珠海）科技有限公司
展位号：C77、78、79、80
英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效析、销售与应用支持于一体，主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。
当前已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高效快充、无线充电、车载充电器、LED照明等方面发布产品方案，并与国内多家应用头部企业开展深度合作，成功量产超过一亿颗氮化镓芯片，广受众多一线品牌客户认可。
INN100W032A是一颗耐压100V，最大导通电阻3.2mΩ的氮化镓高电子迁移率晶体管，与导通电阻近似的Si MOSFET相比，其栅极电荷仅为Si MOSFET的20%，Ciss仅为Si MOSFET的40%，同时封装尺寸仅为3.5mm×2.13mm大小，与传统的DFN5×6相比，占板面积可以缩小75%。
面向同步整流、高频DC-DC转换器等应用场景，具备高功效、低能耗、小尺寸等优势，可广泛应用于电机驱动、Class D、数据中心、motor driver、通信基站等产品领域。得益于其高频高效的性能及出色的应用领域表现，INN100W032A也在2022国际集成电路展览会暨研讨会中荣获2022全球电子成就奖—年度功率半导体荣誉。
INN100W032A详细规格资料。
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深圳安森德半导体有限公司
展位号：C93
总部位于深圳，在台湾、上海、深圳西安均设有研发中心，在华南和华东设有运营和销售中心。
国家高新技术企业，拥有20多项发明专利。公司已通过ISO9001质量体系认证。
公司致力于硅基半导体和第三代半导体器件和模拟IC的研发设计，已形成比较完备的MOSFET、SiC MOS、GaN MOS、POWER IC等系列产品和服务。
Ascend，使命必达，立志成为国际一流的功率器件和模拟IC设计公司。
安森德，新推出一款超低RDSON的TOLL封装MOSFET, VDSS电压100V, RDSON=2MR, ID=290A, IDM=1160A, EAS=1225mJ, CISS=8150PF, Package厚度 2.3mm，占板面积 115m㎡。
相比 TO-263-6L，TOLL占板面积缩小30％，高度减小50％，节省了宝贵的 PCB 应用空间，而且热阻更小从而散热效率更高，封装寄生电感更小，有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。
ASDM100R020NT详细规格资料。
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充电头网总结
产品功率能力的提升，会带来体积上的变化，为了优化产品体积，需要考虑每一个功率器件的体积与能效比，怎样利用宝贵的 PCB 空间和降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度，且做到封装寄生电感更小，散热效率更高是此次新品推荐的主题之一，各大厂商的功率器件不断正向优化，会给市场带来的良性竞争和健康发展。
在即将举办的2023（春季）亚洲充电展，将邀请到文章中出现的企业进行展示、分享，届时欢迎莅临展台交流。如需演讲、参展，欢迎联系 info@chongdiantou.com 报名。
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