存储大厂先进制程竞赛迎新进展

三星电子官方消息，近期三星已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。新款DRAM将于2023年开始量产，三星表示希望以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展。

据悉，这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。

结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。

基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒（Gbps）的速度，这意味着一秒钟内处理两部30GB的超高清（UHD）电影。

新款DRAM同时拥有卓越的速度与更高的能效。与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%。随着2023年新款DRAM量产，三星计划将这一基于先进12nm级工艺技术的DRAM产品扩展到更广泛的市场领域，同时继续与行业伙伴合作，推动下一代计算的快速发展。

DRAM大厂先进制程竞赛继续

2022年由于疫情、高通货膨胀、消费电子市场低迷等多重因素影响，存储行业迈入下行周期，存储价格持续下探，厂商营收不及预期，纷纷减产应对。逆境之下，存储厂商“蛰伏”蓄能，通过先进技术持续提升竞争实力。

DRAM领域，以三星、美光等为代表的大厂先进制程竞赛正不断打响。

三星在今年10月召开的Samsung Foundry Forum 2022活动上，对外公布了DRAM技术路线图。按照规划，三星将于2023年进入1bnm工艺阶段，即第五代10nm级别DRAM产品，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。这意味着除了上述16Gb DDR5 DRAM，未来三星将有更多先进制程DRAM产品亮相。

美光方面，今年11月初宣布采用全球先进技术节点的1β DRAM（第五代10nm级别DRAM产品）产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证，并做好了量产准备。据悉，美光1β DRAM于今年11月中旬率先在日本工厂量产，之后也会在中国台湾量产。除此之外，美光还计划在未来一年在嵌入式、数据中心、客户端、消费类产品、工业和汽车等领域量产1β节点，推出包括显示内存和高带宽内存等产品。

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