签约、量产！8吋GaN衬底比SiC还便宜？

插播：行家极光奖申报倒计时3天，2023年1月5日，隆重揭晓。

8吋、1200V耐压是GaN产业突破的方向，瓶颈在于良率和成本。

最近，台湾企业基于GaN衬底的8吋生产线宣布量产，并且获得订单。这项技术有望实现1200V耐压，并且衬底价格比SiC还便宜。

EPC牵手世界先进

8吋氮化镓生产线量产

良率90%

有望实现12英寸

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成本低至1000美元

QST技术原理剖析

2017年Kyma发布的文献显示，尽管QST技术是自支撑GaN衬底，但是衬底的制造成本与碳化硅衬底相差无几，满产状态下，每片晶圆的价格约为1000美元（每月100片）。

但是QST衬底还有优化的空间，Kyma表示，其抛光成本占比高达38%，如果通过进一步优化抛光工艺，提高抛光去除率，衬底成本可以进一步降低。

根据文献，开发QST衬底的关键在于生长GaN籽晶。

由于氨热法难以生产高品质大直径生长 GaN 籽晶，Kyma 与 QROMIS 合作，采用了基于 QROMIS的 QST技术，转而采用HVPE设备生产籽晶。而QST籽晶的关键在于所谓的Ceramic Core技术，据悉它与GaN的热失配更低，因此制程中能降低翘曲破片的概率，更有利于GaN实现量产。

总的来说，QST衬底的生产步骤包括：在Ceramic Core上生长GaN缓冲层→生长厚厚的HVPE籽晶→剥离Ceramic Core→创建GaN衬底。

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