2024年将是三星追赶台积电的关键年份？

集微网消息，三星正在为其晶圆代工业务制定“总体规划”，以在2024年与台积电对抗，利用其3nm工艺从高通和英伟达等美国大客户手中夺回订单。韩国媒体称，2024年被三星视为一个重大转折点。

据ChosunBiz报道，2024年，三星将推出其第二代3nmGAP(GAA-Plus)工艺，同时该企业在美国的泰勒工厂将投入使用。该计划是重现8年前的“双轨”战略，将主要客户吸引回三星。

2014年，三星采用“双轨”方式，开发其14纳米FinFET工艺，同时还投资11万亿韩元（85亿美元）扩建其位于得克萨斯州奥斯汀的工厂设施。

2014年之前，奥斯汀工厂采用65-28纳米工艺。三星高层当时认为，引入最先进的制程有助于其获得高通的骁龙移动AP（应用处理器）订单。

最终，这个策略被证明是有效的。三星14nmFinFET首次超越台积电。三星不仅拿到了高通的14nmAP订单，还拿到了英伟达等公司的订单。

现在，在5/4nm时代因良率不佳导致订单落后于台积电后，三星希望以类似的策略扭转局面。韩媒指出，三星斥资170亿美元建设其泰勒工厂，预计2023年下半年设备进厂，2024年投产。

三星宣布于2022年6月底量产其第一代3nmGAE（GAA-Early）工艺。GAP工艺是第一代3nm工艺的升级版。韩国业内人士指出，三星已经决定，一旦3nmGAP制程稳定下来，就会引入泰勒工厂。

（校对/杨晨曦）