【中国IC风云榜候选企业169】芯一代：持续创新 SGT MOSFET系列产品见证国内工艺里程碑

【编者按】2023年度中国IC风云榜全新升级，首次与中国汽车报强强联手、通力合作，整合汽车产业链资源，本届年会进一步扩展赛道形成30大奖项，覆盖领域更广、产业触达程度更深、行业影响力更大。本次评委会由中国半导体投资联盟超100家会员单位和数百位行业CEO担任，奖项名单将于2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

本期候选：厦门芯一代集成电路有限公司（以下简称：芯一代）

【参选奖项】年度新锐公司

芯一代成立于2017年，是一家聚焦于Si/SiC基功率器件芯片（MOSFET、IGBT、IPM）和模拟IC的研发与销售的公司。其产品广泛应用于充电器/适配器、BMS、电机驱动、开关电源、通信电源、新能源、汽车电子等领域。值得一提的是，芯一代研发的芯片已进入华为、三星、OPPO、小米、富士康、亚马逊、台达等电源产品，目前有超200款竞争力产品覆盖市场中高端主流功率器件应用

当前，芯片半导体正处于国产替代的历史机遇期，芯一代公司因自身高速的成长性、持续的产品创新能力、优秀的市场开拓能力，相信它将跻身成为国产化芯片半导体技术领域的领先企业之一。

SGT MOSFET系列产品见证国内工艺里程碑

分裂栅（Split-gate，SGT）是中低压MOS最新一代技术的代表结构，突破了传统功率MOS器件的理论极限，被誉为功率MOSFET器件的里程碑技术。据悉，芯一代自主研发的SGT MOSFET对于丰富国内的高性能中低压MOSFET系列产品具有重要的意义。芯一代公司的SGT MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的分裂栅深沟槽（Split-gate Deep Trench）技术，在全面提升了器件的开关特性和导通特性的同时，降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）。通过采用这一先进技术，其研制的30V-200V中低压MOSFET产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))将比上一代产品降低了45%。另外，新款SGT MOSFET的软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰，实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关，非常适合5G通信、服务器、三相逆变器、低压驱动器、快充、BMS以及D类音频等应用。相信其先进的生产工艺和优异的产品性能，在将来能够占据国内锂电池保护和同步整流等主要市场。

【奖项申报入口】

2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼即将于12月在合肥举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行中，欢迎报名参与。

【年度新锐公司】

“年度新锐公司”是拥有核心技术与创新能力的行业佼佼者。中国IC风云榜“年度新锐公司奖”旨在表彰本年度行业异军突起的新兴企业，通过表彰帮助企业进一步获取更多的关注和资源，从而得到更加稳健、快速和长足的发展。

【报名条件】

1、创业团队有着良好的技术与产业背景，拥有核心技术与创新能力，在细分领域竞争优势明显，解决“卡脖子”的企业优先；

2、企业的产品得到市场验证，2022年主营业务营收过亿元（注：不包括上市公司及进入上市辅导企业）；

【评选标准】

1、评委会由“中国半导体投资联盟”超100家会员单位及数百位半导体行业CEO共同组成；

2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度新锐奖”；