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来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2022-12-021683浏览
询问 AI报告主题:评估高压 GaN 场效应晶体管中氧化物击穿的应力和表征策略
报告作者:Shireen Warnock and Jesús A. del Alamo
报告内容包含:(具体内容详见下方全部报告内容)
时间依赖性介质击穿(TDDB)实验。
电流-电压
电容-电压
结论
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来源:芯tip
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