【中国IC风云榜候选企业159】江波龙：坚定自主创新步伐，走出存储器的高端之路

【编者按】2023年度中国IC风云榜全新升级，首次与中国汽车报强强联手、通力合作，整合汽车产业链资源，本届年会进一步扩展赛道形成30大奖项，覆盖领域更广、产业触达程度更深、行业影响力更大。本次评委会由中国半导体投资联盟超100家会员单位和数百位行业CEO担任，奖项名单将于2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

本期候选企业：深圳市江波龙电子股份有限公司（以下简称“江波龙”）

【参选奖项】：年度技术突破奖、年度优秀创新产品奖

集微网消息 江波龙成立于1999年，主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售。公司聚焦存储产品和应用，形成固件算法开发、存储芯片测试、集成封装设计、存储产品定制

等核心竞争力，提供消费级、工规级、车规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案。

江波龙已形成嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、移动存储及内存条四大产品线，拥有行业类存储品牌 FORESEE 和国际高端消费类存储品牌 Lexar（雷克沙）。公司存储器广泛应用于智能手机、智能电视、平板电脑、计算机、通信设备、可穿戴设备、物联网、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。

自研512Mb SPI NAND Flash面市

江波龙于2022年发布了中国大陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash 由江波龙完全自主研发，能够极大地帮助客户降低整机系统成本，并提升终端的产品竞争力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash 已全面量产，在智能穿戴、物联网模块、安防监控、网络通讯等领域得到广泛应用。

据了解，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash采用了极小尺寸的WSON 6mm*5mm封装，不仅比传统并口NAND TSOP 封装（20mm*12mm) 缩小了80%，而且比同类串口NAND的WSON封装8mm*6mm小近37%，节省PCB板空间，减少PCB的层数及尺寸，同时也降低了设计成本。另外，6mm*5mm 封装兼容与主流大容量NOR Flash的外形尺寸和引脚定义，最大程度方便客户从NOR升级到高容量、高性价比的NAND Flash。

不仅如此，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash拥有 62x2K字节OTP (One Time Programmable) Area功能，数据不可擦除，OTP区域结合芯片唯一的Unique ID，可实现软件加密功能。62x2K 字节可为客户提供更多存储安全信息的区域。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash在系统Host端只需有SPI接口即可，无需带传统的NAND控制器，减少了客户Host端的系统成本。内置1bit ECC单元，省去了MCU做硬件或软件ECC的功能，对Host端硬件纠错能力要求降低，简化客户的系统设计要求。

值得特别指出的是，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash经过了全面严苛测试，具备极高的可靠性，满足工规的严苛应用条件。该产品在物联网通信模块、通信CPE、楼宇对讲系统等多个场景中都已经实现了应用。

填补国内车规级UFS产品空白

除了在消费和工业领域发力，江波龙旗下行业类存储品牌FORESEE把握汽车存储先机，正式发布中国大陆首款车规级UFS，为汽车厂商率先提供更符合高阶汽车应用场景的存储产品。

据了解，FORESEE车规级UFS 2.1在传输数据方面的写性能比eMMC高出1.5倍，读性能高出2.5倍。再看UFS 3.1，读性能相比eMMC提高了6倍以上，写性能也高达4倍之多。IOPS方面，UFS与eMMC相比，更是达到数十倍的差距，能够有效降低传输延迟，从而提升车载应用的存储速度。

此外，车规级UFS封装与eMMC尺寸保持一致，便于有需要的汽车厂商无缝切换。另一方面，随着各类车载系统前装搭载率的提高，以及智能驾驶座舱技术的普及，存储容量的需求也从 8GB~16GB 攀升至32GB~64GB，长远来看，层出不穷的高阶车载系统和高度集成的车载终端，可以预见128GB~256GB在不久后将会站上“C位”。

面对趋势，此次 FORESEE 推出的车规级UFS可提供64GB与128GB两种容量选择，既满足“当下”，也看见“未来”。FORESEE车规级UFS采用原厂车规级资源和高品质器件，配合江波龙自研固件算法，以及严苛的可靠性标准验证测试，能够有效确保产品在-40℃~105℃的高低温下长期、稳定、可靠运行的同时，保障数据安全。

【奖项申报入口】

2023中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼即将于12月在合肥举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行中，欢迎报名参与。

【年度技术突破奖】

“年度技术突破奖”奖项旨在表彰技术不断创新迭代，攻克难关，技术水平国际先进或国内领先，推动全球科技潮流向前迈进的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域，2022年发布的新技术产品有重大技术突破，代表国际/国内先进水平；

2、产品应用范围广，市场反馈及前景良好，对全球/国内半导体产业的发展起到重要作用；

【评选标准】

1、技术产品主要性能和指标30%；2、技术突破创新性50%；3、市场应用20%；

【年度优秀创新产品奖】

“年度优秀创新产品奖”旨在表彰填补国际、国内空白或者国产替代，有效解决“卡脖子问题”的优秀创新企业，促进完善国家集成电路产业链自立自强。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域，面向近一年内研发成功；

2、技术创新性强，具有自主知识产权，有效解决卡脖子问题，促进完善供应链自立自强并产生效益的创新产品。

【评选条件】

1、技术产品主要性能和指标20%；2、技术创新性40%；3、销售情况40%。

（校对/落日）