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来源:半导体前沿发布时间:2022-11-26680浏览
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24.6亿增资子公司中车时代半导体,购买汽车组件配套建设项目部分资产
11月25日,时代电气发布公告称,公司拟对控股子公司中车时代半导体增资24.6亿元,增资的资金用于中车时代半导体向公司购买汽车组件配套建设项目部分资产。
时代电气将汽车组件配套建设项目部分资产以非公开协议方式转让给中车时代半导体,即时代半导体公司以现金不含税价格为24.6亿元,含税价格为27.74亿元,向时代电气购买经评估作价的汽车组件配套建设项目部分资产。
时代电气表示,本次增资及转让资产符合公司的发展战略需求,能够有效拓展中车时代半导体产业资源、提升组织运营效率与活力,为中车时代半导体经营创造良好的资源条件和内部环境,促使中车时代半导体经营成效快速扩大,从而使公司同步享有更好的投资回报。
不过,其也指出,中车时代半导体通过前期的技术和经验积累,已经形成了一定的产业竞争优势,目前国内功率半导体产业正处于快速发展的阶段,发展机遇良好但同时市场竞争也日趋激烈,本次增资可能面临因市场竞争等因素导致投资收益不及预期的风险。
36亿成立子公司宜兴中车
天眼查显示,近日,宜兴中车时代半导体有限公司成立,注册资本36亿元。
资料显示,该公司经营范围包含:半导体分立器件制造;半导体分立器件销售;工程和技术研究和试验发展;货物进出口等。
天眼查股权穿透显示,该公司由时代电气、株洲芯连接零号企业管理合伙企业(有限合伙)共同持股。
据了解,株洲中车时代电气股份有限公司主要从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售并提供相关服务,具有“器件+系统+整机”的产业结构,产品主要包括以轨道交通牵引变流系统为主的轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信信号系统等。
此前,时代电气在接受机构调研时表示,IGBT二期投产以来,一直处于拉升产能、提升良率的阶段。目前需求很旺盛,成为新能源的瓶颈端,近期很多重要客户,为了协调增加IGBT供应在积极沟通。目前已经启动了IGBT三期新产线建设准备工作,希望能在2024年6-7月拉通新的产线。另一方面,针对既有产线产能进一步提升从年初开始启动,增加瓶颈环节的设备。良率也在继续提升,产线去年才建好,今年投入大量资源,希望最短时间达到产能和良率的理想状态。国内的储能需求也在爆发。SiC方面,结合公司前期的投资,根据在产业发展情况,也在抓紧准备SiC未来更大量产的芯片线的内部研讨工作,未来会在合适的时间公布信息。
时代电气称,汽车电驱和风电光伏的逆变器是公司未来发展的重点。今年两个板块增量都很大,电驱系统三合一的月交付状态很好,国内自主品牌权威数据排名头部。风电光伏逆变器的订单状态也很好,数据相对去年有较大增幅。近期IGBT紧缺,宁波时代电压电流传感器紧缺更为严重,国内很多新能源的企业都希望能够和本公司合作。基于供应链的优势,公司光伏逆变器、汽车电驱、工业变流器的订单快速增长。公司抓紧时间建产能,希望2023年得到更快速的发展。
来源:集微网、天眼查等

化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺。CMP工艺贯穿硅片制造、集成电路制造与封装测试环节。抛光液和抛光垫是CMP工艺的核心耗材,占据CMP材料市场80%以上。鼎龙股份、华海清科为代表的CMP材料与设备企业受到行业重点关注。
靶材是制备功能薄膜的核心原材料,主要用于半导体、面板、光伏等领域,实现导电或阻挡等功能。在半导体几大材料中,靶材是国产化程度最高的一种。国产铝、铜、钼等靶材领域取得突破,主要上市公司有江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技等。
未来三年将是中国半导体制造产业高速发展期,中芯国际、华虹宏力、长江存储、长鑫存储、士兰微等企业加速扩产,格科微、鼎泰匠芯、华润微等企业布局的12英寸晶圆生产线也将陆续投产,这将带来巨大的CMP材料与靶材需求。
新形势下,国内晶圆厂供应链安全越发重要,培养稳定的本土材料供应商势在必行,这也将给国内供应商带来巨大的机遇。靶材的成功经验,也将给其他材料的国产化发展提供借鉴。
半导体CMP材料与靶材研讨会2022将于12月29日在苏州召开。会议由亚化咨询主办,多家国内外龙头企业重点参与。
会议主题
1.中国CMP材料与靶材政策与市场趋势
2.美国制裁对国内半导体材料供应链的影响
3.CMP材料与靶材市场与重点企业分析
4.半导体CMP抛光研磨液
5.CMP抛光垫与清洗液
6.CMP抛光设备进展
7.半导体靶材市场供需
8.半导体靶材重点企业动向
9.CMP与靶材技术进展
10.靶材国产化经验及借鉴

作为新一代通信、新能源汽车、高速列车等新兴战略产业的核心材料,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点。
碳化硅6英寸晶圆产能处于飞速扩张期,同时以Wolfspeed、意法半导体为代表的头部厂商已经达产8吋碳化硅晶圆。国内厂商如三安、山东天岳、天科合达等厂商主要以6吋晶圆为主,相关项目20余个,投资逾300亿元;国产8吋晶圆技术突破也正迎头赶上。得益于电动汽车及充电基础设施的发展,预计2022-2025年间碳化硅器件的市场增长率将达30%。衬底未来几年内依然是碳化硅器件的主要产能限制因素。
氮化镓器件目前主要由快充功率市场和5G宏基站和毫米波小基站射频市场驱动。GaN射频市场主要由Macom、Intel等占据,功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年,国内企业如三安、英诺赛科、海威华芯等也在积极布局氮化镓项目。另外,氮化镓激光器件快速发展。GaN半导体激光器在光刻、存储、军事、医疗等领域均有应用,目前年出货量在3亿支左右,并且近期以20%的年增长率进行增长,预计2026年市场总量达到15亿美元。
第3届第三代半导体论坛将于2022年12月28日召开。多家国内外龙头企业参会,重点关注碳化硅、氮化镓上下游产业链;最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术;展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术研究深度进展。并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。
会议主题
1.美国芯片禁令对中国第三代半导体发展的影响
2.全球与中国第三代半导体市场及产业发展现状
3.晶圆产能供需与第三代半导体市场机遇
4.6吋SiC项目投资与市场需求展望
5.SiC PVT长晶技术液相法的现状及发展
6.8吋SiC国产化进程和技术突破
7.SiC市场以及技术发展难题解决方案
8.GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用
9.GaN在快充市场中的发展及替代情况
10.GaN激光器件技术和市场应用
11.国产化与技术及设备发展机遇与挑战
12.其他第三代半导体发展前景
13.工业参观与考察(重点企业或园区)
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2026-07-13