国产高性价比氮化镓芯片，更快高效率充电速度

氮化镓比硅更适合做高频功率器件，可显著减少电力损耗和散热负载，有体积、功率密度方面的明显优势。应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域，可以有效降低能源损耗。

从第一款氮化镓快充电源量产到如今成百上千款氮化镓新品涌入市场，短短几年，整个氮化镓快充电源市场的容量翻了百倍，昔日只有个别第三方配件品牌敢于尝试的氮化镓技术，如今便已成为了一线手机、笔电品牌的必备产品，不得不感叹技术迭代的魅力。

在氮化镓快充市场不断拓展的过程中，电源技术水平也在不断提升，起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化镓功率器件组合设计，不仅电路布局较为复杂，产品开发难度相对较大，而且成本也比较高。

作为业内领先的电源芯片厂商，PI基于其电源芯片的技术优势，率先推出了内置氮化镓功率器件的高集成电源芯片，合封氮化镓芯片的概念也因此诞生。

随后几年，国产电源芯片企业不仅推出了氮化镓控制器芯片，而且大部分控制器还支持直驱氮化镓功率器件。

诸多电源芯片厂商纷纷在合封氮化镓芯片领域发力，丰富了高集成度的氮化镓电源芯片市场，在一颗芯片内集成了PWM控制器、驱动器以及氮化镓功率器件，大大精简了电源产品开发过程的电路设计，并有效降低了BOM成本，有利于促进氮化镓快充技术的普及。

由工采网代理的四川美阔推出的一款GaN/氮化镓-MGZ31N65芯片适用于65W快充电源设计；芯片内部集成650V 250mΩ氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。

采用130KHz开关频率，可以有效缩小充电器的变压器体积，得到性能和成本的平衡，同时集成高压启动电路、软启动电路，以及用于超宽输出范围的分段式供电电路。

在突发和故障模式下具有超低的工作电流，最高工作频率为175KHz，支持抖频改善EMI性能，支持谷底开通，轻载和空载模式以突发模式运行以降低功耗，提高效率；内置过热、过流、过压和输出短路、次级开路保护功能，采用PQFN8×8封装形式，可通过PCB铜箔散热，简化散热要求，降低温升。

此外，还推出了适用于氮化镓快充的同步整流控制器以及协议芯片，为客户开发氮化镓快充提供整套方案。为客户提供最优解，进一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系统可靠性。

美阔推出的65W1C快充電源集成氮化镓PD方案，将高性能多模式反激控制器、氮化镓驱动、氮化镓开关管、供电和保护等电路集成在一颗散热增强的PQFN8*8封装内部。

极大减少了外围元器件数量，PCBA面积较少50%以上，并消除传统驱动走线寄生参数对高频开关的影响，使得氮化镓的性能得以进一发挥。

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