三星3nm良率仅20%

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11月23日消息，据报道，三星3nm GAA制程的良率非常差，仅为20%，为了解决这困境，三星计划通过与美国公司合作提高良率。

在3nm节点，三星抢先台积电半年就量产了，而且首发了GAA晶体管技术，然而除了一家做矿机芯片的中国公司试水之外，大型半导体厂商中还在观望，没谁确定要用三星的3nm。

按照三星的说法，目前量产的是3nm GAE工艺，够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。

第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好，不过要到2024年才能量产，还有2年时间。

这样的指标很诱人，如果三星能量产，不会没有厂商使用，毕竟台积电3nm不仅量产时间晚，而且价格还高，优先供应苹果也导致其他厂商在初期排不上号。

但实际情况并不是这样，三星的3nm并没有公司抢着上，只能说明是有些问题的，那就是良率偏低，根本没法大规模量产，有消息称3nm良率只有20%，这意味着要浪费80%的晶圆。

三星3nm工艺的代工价格不确定多少，台积电这边传闻是2万美元，约合14万人民币，三星就算是打折代工估计也要10万元，20%的良率用于生产的话，芯片成本要增加数倍以上，毫无竞争力。

正因为此，三星最近才跟美国Silicon Frontline公司达成了合作协议，双方的合作有段时间了，成果会体现在3nm工艺上。

Silicon Frontline的技术可以减少晶圆加工中的缺陷，也就是说提高芯片的良率，两家公司对彼此的技术合作很满意，但具体提升多少良率还没有相应数据公布。

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