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来源:半导体前沿发布时间:2022-11-20777浏览
询问 AI11月20日，美国半导体设备商应用材料透露，受美国政府扩大对中国大陆芯片禁令影响，预期一些中国大陆客户可能改变生产计划或制程技术。
美国扩大对中国大陆的芯片禁令，限制美国先进设备或技术出口，包括14/16纳米以下半导体制程、128层以上3D NAND芯片及18纳米以下DRAM制程，这些都是当今广泛使用的相当先进的工艺技术，需要用到应用材料、KLA和Lam Research等美国公司的设备和工具。
要运送符合新规定的晶圆厂设备(WFE)，美国半导体设备生产商必须从美国DoC获得出口许可证。许可证申请将在拒绝推定的情况下进行审查，因此，当应用材料等公司披露“影响数字”时，他们假定美国商务部不会批准向中国相关晶圆厂发货。
应用材料强调其部分客户可能会调整工艺技术以规避新法规。除晶圆代工厂走向成熟制程“回头路”外，此前也传出，已有中国大陆企业为避开管制开始思索更改设计，扩大采用成熟制程芯片取代单一高阶制程芯片，以求顺利出货。
22年营收创历史新高，23年业绩受影响
11月17日，应用材料（NASDAQ：AMAT）公布截至2022年10月30日的2022财年第四季度业绩公告。公告显示，该公司2022财年第四季度营收67.5亿美元，同比增长10%，创历史新高。毛利率为45.9%，净利润为15.9亿美元，每股收益1.85美元，同比下降2%。此外，2022财年该公司总营收为257.9亿美元。毛利率达46.5%，创历史新高。
本周，应用材料表示，美国对中国半导体行业的制裁禁止其向中国客户提供先进设备，这将使它在2023财年损失25亿美元的收入，即2022财年收入的10%。该公司将继续努力从美国商务部获得适当的出口许可证。
应用材料首席财务官Brice Hill表示：“我们预计，到2023财年，新规则对收入的影响可能高达25亿美元。我们将继续努力满足监管要求，包括在适当的情况下寻求许可和批准。我们希望将收入影响减少5-10亿美元。”
来源：集微网、半导体产业纵横等
作为新一代通信、新能源汽车、高速列车等新兴战略产业的核心材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点。
碳化硅6英寸晶圆产能处于飞速扩张期，同时以Wolfspeed、意法半导体为代表的头部厂商已经达产8吋碳化硅晶圆。国内厂商如三安、山东天岳、天科合达等厂商主要以6吋晶圆为主，相关项目20余个，投资逾300亿元；国产8吋晶圆技术突破也正迎头赶上。得益于电动汽车及充电基础设施的发展，预计2022-2025年间碳化硅器件的市场增长率将达30%。衬底未来几年内依然是碳化硅器件的主要产能限制因素。
氮化镓器件目前主要由快充功率市场和5G宏基站和毫米波小基站射频市场驱动。GaN射频市场主要由Macom、Intel等占据，功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年，国内企业如三安、英诺赛科、海威华芯等也在积极布局氮化镓项目。另外，氮化镓激光器件快速发展。GaN半导体激光器在光刻、存储、军事、医疗等领域均有应用，目前年出货量在3亿支左右，并且近期以20%的年增长率进行增长，预计2026年市场总量达到15亿美元。
第3届第三代半导体论坛将于2022年12月28日召开。多家国内外龙头企业参会，重点关注碳化硅、氮化镓上下游产业链；最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术；展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术研究深度进展。并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。
会议主题
1.美国芯片禁令对中国第三代半导体发展的影响
2.全球与中国第三代半导体市场及产业发展现状
3.晶圆产能供需与第三代半导体市场机遇
4.6吋SiC项目投资与市场需求展望
5.SiC PVT长晶技术液相法的现状及发展
6.8吋SiC国产化进程和技术突破
7.SiC市场以及技术发展难题解决方案
8.GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用
9.GaN在快充市场中的发展及替代情况
10.GaN激光器件技术和市场应用
11.国产化与技术及设备发展机遇与挑战
12.其他第三代半导体发展前景
13.工业参观与考察（重点企业或园区）
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