参加：「芯榜2022」先进封测Chiplet大会
华为新专利公布，事关EUV光刻机核心技术！在芯片规则实施之后，中国半导体产业的发展就被针对，国外的先进技术进不来，国内企业彻底感受到“缺芯少魂”的短板，于是乎加大了自主技术的研发，国产芯片的发展也开始步入正轨！在缺芯的影响之下，华为各方面的业务均受影响，年营业额损失超过了2000亿，但依然坚持每年投入不低于总营收20%的研发经费，不得不佩服任正非的“魄力”，他是一个真正能干事的人。不仅自身研发芯片技术，还有效的带动了国内的企业，参与半导体全产业链的布局，根据11月15号传出的消息，华为公布了一项新的技术专利，事关EUV光刻机的核心技术，能否打破ASML的垄断地位呢？
华为公布新技术专利为了尽早解决芯片供应问题，成立了哈勃投资，专门扶持有潜力的半导体企业成长，目前已经取得了非常不错的成效，14nm工艺量产、5nm刻蚀机、90nm光刻机、EDA软件、指令集架构、光刻胶等等造芯关键技术，都相继得到了突破。华为拥有着全球最多的5G专利，已经证实了诺基亚、爱立信在布局5G网络过程中，是绕不开这些技术专利的，可惜受到芯片断供的影响，拥有着近乎垄断世界的技术，却还是难以实现5G手机的回归，这是华为之“痛”，同样也是中国半导体产业的“痛”！
专利名称：反射镜、光刻装置及其控制方法
专利申请号：CN202110524685.X
该专利提供一种光刻装置，该光刻装置通过不断改变相干光形成的干涉图样，使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化，从而达到匀光的目的，进而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。
该光刻装置包括相干光源1、反射镜2(也可以称为去相干镜)、照明系统3。其中，反射镜2可以进行旋转；例如，可以在光刻装置中设置旋转装置，反射镜2能够在旋转装置的带动下发生旋转。在该光刻装置中，相干光源1发出的光线经旋转的反射镜2的反射后，通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上，以进行光刻。在光刻装置中，上述照明系统3作为重要组成部分，其主要作用是提供高均匀性照明(匀光)、控制曝光剂量和实现离轴照明等，以提高光刻分辨率和增大焦深。照明系统3的匀光功能可以是通过科勒照明结构实现的。
「芯榜2022」先进封测Chiplet大会
该照明系统3包括视场复眼镜31(field flyeye mirror，FFM)、光阑复眼镜32(diaphragm flyeye mirror，PFM)、中继镜组33；其中，中继镜组33通常可以包括两个或者两个以上的中继镜。照明系统3通过视场复眼镜31将来自相干光源1的光束分割成多个子光束，每个子光束再经光阑复眼镜32进行照射方向和视场形状的调整，并通过中继镜组33进行视场大小和/或形状调整后，投射到掩膜版4的照明区域。通过在相干光源1与照明系统3之间的光路上设置反射镜2，在此情况下，相干光源1发出的光线经旋转的反射镜2反射后相位不断发生变化，这样一来，在经反射镜2反射后的光线通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上时，形成在掩膜版4的照明区域的干涉图样不断变化，从而使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化，从而达到匀光的目的，进而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。
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