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来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2022-11-18920浏览
询问 AI2022年11月15日,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、中国电子材料行业协会半导体材料分会、SEMI(国际半导体产业协会)和中国晶体学会联合主办的第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM-2022)在江苏省徐州市召开。在大会开幕式最后环节,北京天科合达半导体股份有限公司举办了“8英寸导电型碳化硅衬底”新产品发布会。新产品发布会由北京天科合达公司技术副总监娄艳芳博士主持。


展会现场图片
各项指标公布如下:(1)8英寸碳化硅晶体(直径可达209mm)及晶片外观图

(2)拉曼光谱测试数据表明,8英寸碳化硅衬底100%面积为4H晶型

(3)XRD三点摇摆曲线数据显示,半高宽小于20arcsec

(4)位错缺陷密度测试结果显示, EPD<4000个每平方厘米,TSD<100个每平方厘米,BPD<200个每平方厘米,位错密度整体处于国际领先水平

来源:天科合达官网
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