单台成本3亿-3.5亿欧元，ASML新High-NA EUV有望2024年出货

据外媒报道，荷兰半导体设备业龙头ASML计划在韩国投资建设的再制造工厂及培训中心于11月16日开工，ASML执行长Peter Wennink表示，将投资至少2400亿韩元，以便与三星电子和SK海力士等当地客户合作，并计划在2024年全部建成。

2021年11月，ASML与韩国华城签署了备忘录，计划在韩国投资2400亿韩元建设光刻设备再制造工厂及培训中心，主要用途是为韩国当地运行的EUV光刻机的维护和升级提供助力。

对于半导体设备的扩产规划，Peter Wennink于11月15日表示，新High-NA EUV微影曝光设备有望于2024年出货，首次应用于晶圆厂，单台成本3亿-3.5亿欧元。

资料显示，High-NA EUV系统将提供0.55数值孔径，与0.33数值孔径透镜的EUV相比，精度提高，具更高解析度图像化能力，以完成更小电晶体，对2纳米以下制程是必要设备。

客户方面，虽然价格高昂，但今年年初ASML依然收到了来自英特尔的最新款High-NA EUV“EXE:5200”首张订单，并预计到2025年将该设备加入量产，除英特尔外，台积电亦有下单。而三星、SK海力士虽未公开证实，但也传出向ASML下订单。从目前需求看，ASML年产20台可能会供不应求，所以芯片厂可能为了先获得设备展开激烈竞争。

此前ASML曾表示，计划在2025年到2026年进一步提高产能，包括年产90台EUV（极紫外光）光刻机和600台DUV（深紫外光）光刻机，同时，在2027年到2028年，增产20个系统高NA EUV光刻机。

Wennink指出，High-NA EUV设备将于2024年首次应用于晶圆厂，长期计划为年产20台。

被问及全球芯片市场，Wennink认为，虽然短期低迷持续，但从中长期看，市场只会成长，并预计未来10年，半导体市场平均每年成长9%，2030年产值将落在1万亿至1.3万亿美元。其表示，随着全球对先进芯片的需求日益飙升，公司可能会进行并购。

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