1天2个项目！SiC激光切割趋热

目前，碳化硅单晶切割技术耗时长且损耗大，激光切割被赋予厚望。而最近，有2个家企业将碳化硅激光项目的建设提上日程了。

晟光硅研

或建SiC/GaN激光加工中心

11月9日，“晟光硅研”发文称，他们已经与空港集团，就落地建设微射流激光加工中心事宜进行了深入交流和探讨。

晟光硅研总经理杨森介绍道，他们所掌握的微射流激光技术自主可控，不仅能够完成碳化硅晶锭的滚圆、切片和划片，还能进行氮化镓晶体、超宽禁带半导体材料、航空航天特种材料、陶瓷复合材料、闪烁晶体等硬、脆、贵材料的加工。

目前，晟光硅研已参编《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，微射流激光技术将为SiC衬底企业带来哪些帮助？届时白皮书将深入详细介绍。

同时，烁科晶体、飞锃半导体、中电化合物、国星光电、合盛硅业、安海半导体、森国科、北方华创、恒普科技、华卓精科、优晶光电、岚鲸光电、智立方和联合精密等企业也已参编。

横滨半导体

将建SiC激光加工基地

据日媒“长崎新闻”报道，11月8日，日本半导体检测设备公司Interaction宣布，他们将在长崎市设立一个激光加工开发基地，用于加强开发碳化硅材料的新加工解决方案，计划于2023年3月开业。

报道称，长崎开发中心在开发检测设备的同时，将负责研发SiC半导体材料的加工技术。

资料显示，横滨半导体成立于1992年。根据公告，自2021年8月起，他们就与长崎大学共同研究SiC材料加工。

在这项研究和开发中，双方将通过开发一种新的SiC激光加工方法，帮助功率半导体行业更高效地采用SiC材料。