赛微电子：6亿元跨国芯片收购案被禁

今日早间，赛微电子发布公告称，2022年11月9日晚间（北京时间），公司及境内外相关子公司收到德国联邦经济事务与气候行动部的正式决定文件，禁止瑞典Silex收购德国FAB5。

赛微电子表示，因为该禁令，原本应接近尾声的本次收购交易将无法继续并完成。交易相关方将详细分析德国联邦经济事务与气候行动部的决定文件，并决定随后采取的进一步行动。公司对德国联邦经济事务与气候行动部的这一最终正式决定深表遗憾。公司将继续看好并重视汽车芯片产业及相关业务布局。

（图源公司公告）

资料显示，2021年12月14日，赛微电子位于瑞典的全资子公司瑞典Silex与德国Elmos ，德国法兰克福证券交易所上市公司，签署《股权收购协议》。

根据收购约定，瑞典Silex拟以8450万欧元（其中包含700万欧元的在制品款项）（以2021年12月14日汇率中间价EUR／CNY 7．1823折算成人民币为6．07亿元）收购德国Elmos位于德国北莱茵威斯特法伦州多特蒙德市的汽车芯片制造产线相关资产。

Elmos成立于1984年，是一家知名的车规级半导体公司，开发、制造和销售各类 CMOS（互补金属氧化物半导体）芯片及传感器芯片，产品范围涵盖汽车高速网络通信接口芯片、电源稳压芯片、光学红外传感芯片、电机驱动系统微控制芯片、微机电系统芯片等。Elmos还生产全球领先的主要用于汽车行业的混合信号技术中的专用集成电路（ASIC）和半导体芯片。

对于交易目的及影响，赛微电子此前曾表示，通过此次收购Elmos旗下的汽车芯片制造产线相关资产，公司将把核心主业传感器和芯片工艺制造的业务范围进一步拓宽至汽车电子领域，同时迅速提升可兼容MEMS与CMOS芯片集成工艺制造的境外产能，有利于公司积极把握全球半导体特色工艺制造产业，尤其是全球汽车芯片、MEMS芯片制造需求快速增长的发展机遇，从而促进公司业务的进一步发展，提高公司在全球范围内的综合竞争实力。

赛微电子成立于2008年5月15日，于2015年5月14日在深交所创业板挂牌上市。公司以半导体业务为核心，面向物联网与人工智能时代，一方面重点发展MEMS工艺开发与晶圆制造业务，一方面积极布局GaN材料与器件业务，致力于成为国际化知名半导体科技企业集团。公司目前的主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、GaN外延材料生长与器件设计，下游应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子等。公司业务遍及全球，服务客户包括全球DNA／RNA测序仪巨头、新型超声设备巨头、网络通信和应用巨头以及工业和消费细分行业的领先企业等。

元宇宙／第三代半导体成出路？

在收购Elmos失败的情况下，赛微电子在汽车电子产业方面的布局必然会受到影响，因此，在未找到汽车芯片产业新的发力点之时，赛微电子或许会被迫将更多的精力放在AR／VR领域。

目前，赛微电子部分MEMS芯片产品在AR／VR／MR 领域也有所应用，赛微电子子公司在今年已与某全球顶级元宇宙公司开展初步接洽，共同探索元宇宙应用场景下核心硬件的MEMS 解决方案，并且已经与部分公司签署了超过5000万人民币的应用于AR／MR设备的MEMS芯片制造订单。

众所周知，除了新能源汽车领域之外，当前的元宇宙领域也普遍被市场看好。现在最前沿、最火爆的话题无疑是元宇宙，从简单的二元角度分析，元宇宙可以简单划分为软件及硬件两大系统，无论具体应用场景有多丰富，均离不开两大系统的相互支持与迭代。

可以肯定的是，元宇宙最底层是感知层，即需要搭建和维护首要基础设施，包括 AR、VR、MR 在内的这些增强现实、虚拟现实、混合现实等硬件设备，是实现感知交互功能、元宇宙运行的物理基础。

而支撑元宇宙的 AR、VR、MR设备中，又需要用到基于 MEMS 技术的麦克风、扬声器、IMU、投影微镜、温度传感、嗅觉传感、触觉传感和眼动追踪器件及设备等。

除此之外，赛微电子在第三代半导体产业也有所成就。据了解，赛微电子的GaN 业务既存在成熟产品，同时也在研发新的品类，公司一直在努力解决 GaN 业务的供应问题，包括与境内外代工厂商进行合作，同时正通过一家参股子公司加紧建设制造产能，其中设备已基本到位，正在建设厂房等基础设施。

在产能方面，赛微电子已建成的 6－8 英寸 GaN 外延材料制造项目（一期）的产能为 1 万片／年，目前已签订千万级销售合同并根据商业条款安排生产及交付，公司既可以提供标准化产品，也可以根据境内外不同类型客户的需求提供定制化产品，不同规格产品的单价差异较大；

在 GaN 器件设计方面，产能主要受到供应方制造商产能的限制，目前在技术、应用及需求方面是没问题的，关键在产能供应端受限，在这方面公司也已对外签订了批量流片合同，努力缓解产能瓶颈问题。另一方面，公司间接参股的青州聚能国际半导体制造有限公司正在推进建设 GaN 产线，希望能够尽快提供自主可控、全本土化的GaN 制造能力。