SK海力士新一代LPDDR5X成功研发 首度采HKMG制程

SK海力士LPDDR研发进程，首度于移动用DRAM采用高介电常数金属闸极(High-K Metal Gate；HKMG)制程。SK海力士

SK海力士(SK Hynix)日前宣布成功研发LPDDR5X，首度于移动用DRAM采用高介电常数金属闸极(High-K Metal Gate；HKMG)制程，提高处理速度并持续减少工耗，目前已开始量产并向市场供应。

综合SK海力士、韩媒ET News、韩联社等消息，SK海力士本次成功研发的LPDDR5X，运作电压符合JEDEX规定的超低电压范围1.01~1.12V，与前一代相比耗电量减少25%，速度达到8.5Gbps，比前一代快33%。

三星电子(Samsung Electronics)此前于2022年10月宣布发表其最新的LPDDR5X DRAM，处理速度也达8.5Gbps，同为业界最快处理速度。

值得注意的是，SK海力士于LPDDR5X首度采移动用DRAM HKMG技术。HKMG制程为将高介电常数(K)的物质用于DRAM晶体管内部绝缘膜的技术，能在防止漏电、改善电容量的同时加快速度。特别是对于移动用DRAM(LPDDR)，低耗电为最大关键，SK海力士指出，本次研发的LPDDR5X，为在市面上移动用DRAM中，电力使用效率最高的产品。

SK海力士预期，随着移动设备技术需求持续增加，具备低工耗并强化效能的LPDDR5X，使用率将提高。且因充电次数减少，用电量也减少，有助带来减碳效果。并表示继2021年量产业界最大容量18GB LPDDR5后，2022年又研发达业界最快处理速度的LPDDR5X，验证SK海力士在存储器领域的技术竞争力。

责任编辑：张兴民