国内碳化硅（SiC）赛道环节现巨额出货。
11月7日晚间，市值超900亿的化合物半导体龙头三安光电宣布实现第三代半导体材料SiC芯片出货。该公司公告显示，其
全资子公司湖南三安与新能源汽车客户签署了价值38亿元的SiC芯片《战略采购意向协议》，采购产品将应用于新能源车主驱。
作为第三代半导体材料，近期SiC市场需求面临爆发，不少赛道内玩家正积极扩产。此前国内厂商市占率长期较低，真正能够实现出货的公司并不多，三安光电此次拿下长单，也意味着国产替代正加速演进。
锁定4年长单公告显示，根据双方11月6日签署的《战略采购意向协议》，需方承诺自2024年至2027年确保向湖南三安每年采购碳化硅芯片，超出部分由双方协商确。基于2022年市场价格感知，包含2023年产生的研发业务需求，至2027年预估该金额总数为38亿元（含税）。
由于涉及商业敏感信息，三安光电并未披露新能源车企具体名称。三安光电表示，本次向需方供应的碳化硅芯片将应用于新能源车主驱，有利于进一步提高公司产品市场占有率。
据了解，湖南三安系三安光电重要子公司，主要从事碳化硅、硅基氮化镓等第三代化合物半导体的研发及产业化，该公司投资总额高达160亿元，项目达产后配套产能约36万片/年。截止2022年6月末，湖南三安已到产能6000片/月。
公开信息显示，三安光电目前SiC制程现以6寸为主，8寸SiC晶体在扩径中。“湖南三安8寸产能正在逐步爬坡，目标用2-3年的时间，规划配套产能3万片/月，”该公司近期在互动平台中表示。
目前，三安光电积极拓展碳化硅市场，二极管产品已覆盖PFC电源、车载充电机、光伏逆变器、家电等应用领域，主要客户包括国内某知名客户、威迈斯、弗迪动力（比亚迪）、阳光电源、古瑞瓦特英威腾、格力等客户。
此外，今年3月23日，湖南三安与理想汽车的关联公司北京车和家汽车科技有限公司，共同设立合资公司苏州斯科半导体有限公司。该子公司主要专注于SiC车规芯片模组的研发及生产，预计2023年5月启动样品试制，2024正式投产后逐步形成年产240万只半桥生产能力。
新能源汽车产业受益明显第三代半导体是以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体，该类半导体材料禁带宽度大于或等于2.3eV，因此也被称为宽禁带半导体材料。第三代半导体在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。
银河证券一份研报显示，从SiC功率器件的应用来看，由于SiC功率器件能够显著提升新能源汽车的性能，如提升续航能力和充电速率，以及实现汽车的轻量化，因此SiC功率器件在新能源汽车领域的应用比例最高，其次为电源设备、光伏发电和国防军工领域，占比分别为21%、17%和11%。
根据Yole测算，仅SiC器件中的功率器件的市场规模将从2021年的 10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金，复合年增长率约34%。从细分行业来看，新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。
据了解，特斯拉在2018年将Model 3车型的主驱动逆变器中已经使用了SiC MOSFET，将Si IGBT替换为 SiC器件后，新能源汽车逆变器效率大幅提升，相同续航下对电池容量需求降低。近年来，比亚迪、蔚来、理想等车企在高端车型中均有应用SiC MOSFET，其在充电速度、续航里程、起步加速、器件体积等方面有明显优势。
在SiC功率器件领域，全球主要市场份额掌握在美国的Wolfspeed和日本的Rohm 两大龙头企业手中，市场份额分别为27%和22%，行业前四企业市占率合计73%。由于SiC 器件对稳定性要求较高，并且验证周期较长，因此国内厂商切入较为缓慢。
国内厂商竞相扩产今年以来，国内厂商相继启动新建产能计划。士兰微近日披露，公司拟定增募集资金不超过65亿元，其中7.5亿元用于SiC功率器件生产线建设项目，该项目在现有芯片生产线及配套设施的基础上提升SiC功率器件芯片的产能，用于生产SiC MOSFET、SiC SBD芯片产品；项目达产后，将新增SiC MOSFET 芯片12 万片/年、SiCSBD芯片2.4 万片/年的生产能力。
积极扩充SiC功率器件产能的还有时代电气、斯达半导、新洁能等。时代电气在近期接受机构调研时表示，公司已投资4.6亿元对原有碳化硅产线进行产能提升，公司碳化硅产品在新能源车的验证已取得重大进展。
不过，目前能够实现出货的并不多，除了此次三安光电外，斯达半导已经实现汽车SiC主驱模块的批量出货。而宏微科技、士兰微有望在2023年实现汽车SiC主驱模块的批量出货。
另外，在更上游的SiC衬底片、外延片领域，国内厂商也在积极扩产。天岳先进投资25亿元扩产6英寸导电型碳化硅衬底材料；露笑科技定增募资25.67亿元用于大尺寸碳化硅衬底片等项目。只不过，这一环节国产企业起步较晚，市场基本被国外厂商垄断。
