东微半导：目前公司的TGBT单管产品销售情况良好

集微网消息，近日，东微半导在接受机构调研时表示，公司所处的大功率半导体市场景气度持续向好，尤其是以新能源汽车、光伏、储能等为代表的细分市场需求攀升。公司主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET以及TGBT系列IGBT产品，应用场景以工业、车规级产品为主。

东微半导称，目前在微型逆变器领域，以超级结MOSFET产品为主，且保持良好的态势。TGBT产品（类比市场IGBT产品）则在更大电压、更大功率段的应用更加广泛。超级结MOSFET、TGBT产品互有优势和适用的领域，都是公司重点布局的产品。

东微半导指出，公司超级结MOSFET产品和TGBT产品互有优势和各自适用的领域。公司在高压大电流超级结MOSFET方面积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，具有较强的市场竞争力。TGBT产品是基于新型的Tri-gate IGBT器件结构的重大原始创新，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，基于此基础器件专利，东微半导具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。TGBT与传统的IGBT兼容性高，可以实现插拔替换，客户接受度较高。

据悉，公司产能主要来自于上海华虹宏力半导体制造有限公司、广州粤芯半导体技术有限公司、DB Hitek等代工厂。公司与上述代工企业均保持长期稳定的合作关系，可以持续获得充分的产能支持。

东微半导表示，公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。提出新技术路线，申请相关专利对该核心技术进行全面保护。目前，新技术路线产品开发顺利，相关专利产品已在积极推广及客户认证阶段，市场进展顺利，创新技术可行性得到进一步验证。预期此系列产品将对采用传统技术路线的SiC MOSFET进行替代。

目前公司的TGBT单管产品销售情况良好，模块还处于研发状态。随着TGBT产能增加，也会推出模块产品。

东微半导表示，公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品，特别适用于各种高密度高效率电源，目前已批量进入中车株洲、航嘉驰源、易米通科技、视源股份、富安电子、硕通电子等客户。凭借其高效率的特点，还通过了微逆变领域的头部客户Enphase Energy的认证，并且开始批量出货。随着公司第二代及第三代超级硅MOSFET器件的推出，预期超级硅MOSFET将可以进入诸如服务器及汽车电驱等更多高端应用领域。 公司在各产品端的产能分配是基于公司的经营策略，在聚焦工业级、车规级应用的基础上，保持了均衡、合理的产能分配。

东微半导称，公司目前TGBT产品主要来自于华虹宏力8英寸代工平台。公司考虑到去年1200V FRD供应紧张的情况，先从650V TGBT产品开始。目前650V、1200V产品均已量产，截止2022年9月30日，公司的营收结构以650V TGBT为主。目前TGBT产能亦在持续增加。