合计超8亿！2氮化镓项目获补贴

近日，新加坡、美国均宣布，将拨款资金投资GaN技术研究，合计金额超8亿人民币。
●新加坡：投6.14亿元建GaN科研中心；●美国：拨款 2.16亿元推动 GaN-on-Si 的开发和生产。

新加坡：

投6.14亿元建GaN科研中心

10月18日，据《环球财经》消息，新加坡副总理兼经济政策统筹部长王瑞杰在工业转型亚太区博览会上宣布，新加坡计划在未来五年初步投入约8500万美元（约6.14亿元人民币），建立新加坡氮化镓科研中心（National Gallium Nitride Technology Centre），以满足氮化镓作为芯片的新型材料所带来的增长需求。

来源：《环球财经》网页版

半导体是新加坡先进制造业的重要组成部分，该财政计划也恰恰表明了新加坡对于氮化镓半导体的重视，这对当地的氮化镓企业的发展发出了一个利好信号。据“行家说三代半”此前报道，新加坡本土氮化镓企业 IGaN 也曾在2020年9月宣布，耗资7300万美元（约4.7亿人民币）建立一个 GaN Epi 中心，作为 4-8 英寸 GaN 金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 技术的联合商业和全球联合实验室。此前，IGaN 也一直在推进 GaN 技术的发展：●2018年5月，IGaN与新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院 (NTU EEE)共同开发硅基GaN器件在8英寸晶圆上的加工技术，与6英寸GaN代工平台相比，8英寸的优势在于规模经济——大约提升了2倍。●2019年8月，IGaN与汽车级代工厂 SilTerra开始对外提供8英寸硅基GaN外延片和“一站式解决方案”。●2020年11月，IGAN和A-PRO公司在8英寸平台上开发了650V GaN器件。

美国格罗方德：

获2.16亿元资金开发GaN

10月17日，据GlobalFoundries（格罗方德）官网消息，他们已获得3000万美元（约2.16亿元人民币）的政府联邦资金，用于推动佛蒙特州伯灵顿工厂的8吋GaN-on-Si 技术的开发和生产。据悉，该资金是美国 2022 年综合拨款法案的一部分，格罗方德将使用该资金升级佛蒙特州工厂的设备以及推进8吋GaN晶圆的开发制造。该工厂美国首批主要的半导体制造基地之一，包括GaN器件在内的器件年产能超过60万片，目前拥有近2000名技术人员。据“行家说三代半”了解，作为一家晶圆代工厂商，格罗方德在GaN器件、外延片技术以及CMOS上均有寻求合作，谋求GaN的进一步发展：●器件技术——雷神2021年5月，格罗方德与航空航天和国防技术公司 Raytheon Technologies（雷神）达成合作，将合作开发新的 GaN-on-Si 半导体并将其商业化，为 5G、6G 移动和无线基础设施应用提供更高的射频性能。根据协议，雷神将向格罗方德授权其专有的硅基氮化镓技术，后者将在其位于佛蒙特州伯灵顿的 Fab 9 工厂开发新的GaN射频产品。●外延片技术——IQE2021年10月，格罗方德与英国晶圆供应商 IQE 签署战略协议，共同为移动和无线基础设施应用开发硅基氮化镓技术。格罗方德将在佛蒙特州伯灵顿Fab 9 工厂使用 IQE 在 IMEC 实验室开发的硅基氮化镓技术，推出差异化的5G解决方案。●CMOS合作——IMEC2011年，格罗方德宣布加入纳米电子研发中心IMEC，合作内容包括GaN-on-Si 技术：将与IDM、代工厂、化合物半导体公司、设备供应商和衬底供应商等，共同开发 8 英寸硅基 GaN 技术。

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