拿了美国政府一笔钱，格芯发力氮化镓

近日，美国参议员 Patrick Leahy 和格罗方德(GF) 宣布，将授予后者3000 万美元的联邦资金，用于推动下一代硅基氮化镓(GaN)的开发和生产。

格芯位于佛蒙特州埃塞克斯交界处的工厂，凭借其独特的处理显着热量和功率水平的能力，其生产GaN半导体能够在包括5G和6G智能手机、RF无线基础设施、电动汽车、电网、太阳能和其他技术在内的应用中实现改变游戏规则的性能和效率。

该消息是在今天在格芯工厂举行的一场活动中宣布的，出席者包括 参议员Leahy、格芯总裁兼首席执行官Thomas Caulfield博士、格芯佛蒙特工厂副总裁兼总经理Ken McAvey、大伯灵顿工业公司总裁Frank Cioffi、GF Fab团队成员及其他嘉宾。

由参议员Leahy作为2022财年综合拨款法案拨款的3000万美元联邦资金将使格芯能够购买工具并扩展200毫米GaN晶圆制造的开发和实施。将规模化的GaN制造纳入Fab的能力进一步巩固了该工厂在射频半导体技术方面的长期全球领导地位，并使格芯在制造用于高功率应用（包括电动汽车、工业电机和能源应用）的芯片方面处于领先地位。

“Leahy参议员的领导能力和奉献精神对佛蒙特州半导体制造业的发展和成功起到了重要作用，”Caulfield博士说。“我代表整个GF团队，感谢Leahy参议员在任职多年期间对GF的坚定支持。从今天的公告中可以看出，他一直是将该工厂置于全球半导体制造前沿的拥护者。

凭借这笔新的联邦资金，以及在2023年联邦预算中获得进一步支持的潜力，格芯已做好准备，成为GaN芯片制造领域的全球领导者——就在佛蒙特州。”

“世界各地使用的芯片都是由这些敬业的员工在埃塞克斯交界处制造的，”参议员Leahy说。“我为此感到非常自豪，这是所有佛蒙特州和美国人都可以引以为豪的事情。这笔资金是对美国在改进芯片技术方面的投资，该技术可以连接我们周围的一切并为我们的手持设备提供动力——GlobalFoundries和佛蒙特州领先方法。”

该其他交易协议 (OTA) 由国防微电子活动部通过美国国防部的可信访问计划办公室 (TAPO) 签订。TAPO的主要任务是为国防部最关键和最敏感的武器系统平台采购先进的半导体。自2019年以来，TAPO一直支持两用（民用和军用）硅基GaN的开发工作，因为GaN提供了一种稳定的半导体，适用于国防部保持美国技术优势所需的高功率、高频器件。当前的开发阶段计划利用以前的TAPO成功并继续使这种双重用途技术成熟。

“格罗方德一直是可信访问计划办公室的重要合作伙伴，为国防部最先进的武器系统平台提供先进半导体技术的半导体保障（Trust）。这种参与只是国防部为确保美国继续获得氮化镓等先进微电子技术而采取的一步，”DMEA主任Nicholas Martin博士说。

这项3000万美元的协议是最新的联邦投资，用于支持GF佛蒙特工厂的GaN。在2020和2021财年，参议员Leahy共获得了1000万美元，用于与该设施推进GaN技术相关的研发，为这一新奖项铺平了道路。

格芯位于佛蒙特州伯灵顿附近的埃塞克斯交界处的工厂是美国首批主要的半导体制造基地之一。如今，有近2,000名格芯员工在该工厂工作，每年的晶圆制造能力超过600,000片。这些GF制造的芯片基于GF的差异化技术构建，用于全球智能手机、汽车和通信基础设施应用。Fab是一家值得信赖的代工厂，与美国国防部合作生产安全芯片，用于美国一些最敏感的航空航天和国防系统。