英特尔、三星可继续运营在华NAND闪存芯片业务

10月11日，英特尔表示，公司已从美国商务部获得为期一年的授权，继续运营其位于中国大连的NAND闪存芯片业务。

据了解，目前，由于英特尔向外出售NAND闪存业务的程序尚在进行中，大连闪存工厂目前仍由英特尔负责运营。但在英特尔的整体业务中，NAND体量占比较小。

另外，据韩媒《韩联社》10月12日报道，三星在未来1年内，无需办理任何额外的手续即可获得美系半导体设备的供应。其位于中国大陆的晶圆厂的生产都将不会受到限制影响。

目前，三星正在持续推进西安高端3D NAND存储芯片项目的建设。

该项目分为三期，一期项目总投资108亿美元，2014年5月竣工投产，月产能13万片；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片，月产能13万片，二期项目第二阶段于2021年年中建成投产。

三星西安NAND存储生产基地产能占三星全球NAND Flash整体产能当中的占比高达40%。

据悉，三星还将投资150亿美元建设西安三期项目，主要制造5G芯片和汽车芯片。

来源：全球闪存市场

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会议主题

1.新形势下中国集成电路与大硅片产业发展趋势

2.半导体行业市场对不同尺寸硅片需求

3.美国芯片法案对大硅片供应链的影响

4.中国大硅片最新项目规划与建设进展

5.已建成大硅片工厂生产运营经验

6.大硅片制造先进材料及设备

7.电子级多晶硅项目规划

8.硅外延片的市场供需及应用

9.单晶硅与大硅片先进制造工艺与技术

10.大硅片生产难点与解决方案

11.大硅片的质量控制及检测

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