外媒：三星将BSPDN技术用于2nm芯片 开发晶圆背面

据外媒《TheElec》报道，三星正计划使用背面供电网络（BSPDN）的技术来开发2纳米芯片，该技术是上周由公司技术研究员ParkByung-jae在三星SEDEX2022上推出的。该方案给出了制程缩进、3D封装外的另一个方向，即开发晶圆背面。

BSPDN与前端供电网络不同，BSPDN利用后端，正面将具有逻辑功能，而背面将用于供电或信号路由。据悉，BSPDN的概念是在2019年的IMEC上首次被提出，当时有一篇引用该技术的2nm论文也在2021年的IEDM上进行了发表。作者在这篇韩文名为《SRAM宏和使用2nm工艺后端互连的逻辑设计和优化》的论文提出，将供电网络等功能移至芯片背面，从而解决仅使用正面造成的布线堵塞问题。与FSPDN相比，BSPDN的性能可提高44%，同时功率效率提高30%。

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