三星推出第8代V-NAND（512Gb），设想到2030年堆叠超过1000层

近日，三星电子在美国加州硅谷举办2022年三星科技日，会上三星首次推出了其第8代V-NAND（512Gb），位密度提高了42%，在迄今为止的512Gb三级单元（TLC）内存产品中达到了业界最高的位密度。该公司表示，全球最高容量的1Tb TLC V-NAND将于今年年底向客户提供。

NAND方面，目前，三星电子正在量产第7代Vertical NAND（V-NAND）闪存，其第九代V-NAND正在开发中，并计划从2024年开始量产第9代NAND闪存，到2030年，公司设想堆叠超过1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。

DRAM方面，三星电子正在量产第4代10nm级DRAM，而目前1b DRAM正在开发中，并计划从2023年开始量产第5代10nm级（1b）DRAM。为了克服DRAM扩展到10nm范围以外的挑战，该公司一直在开发图案、材料和架构方面的颠覆性解决方案，高K材料等技术正在顺利进行中。

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