东部高科拟于2023年开发8英寸碳化硅功率半导体工艺

据韩媒报道，韩国主要晶圆代工厂商东部高科（DB HiTek）正加快碳化硅功率半导体制造工艺开发，最早有望在明年启动8英寸工艺平台开发。

报道称，东部高科目前正同步推进碳化硅和氮化镓工艺研发，氮化镓的8英寸工艺开发已经铺开，计划在2-3年内完成，而碳化硅方面，该公司目前正开展6英寸工艺研发。

报道还透露，东部高科最早将于明年利用其生产基地闲置场地部署8英寸碳化硅功率半导体制造设备，相关负责人表示，该公司看好碳化硅前景，将通过外包等手段解决相关设备的供应问题。

与传统硅基功率半导体相比，碳化硅由于宽带隙、耐高温等特性，在功率半导体领域被认为有重大潜力，目前在电动汽车主驱等领域已得到规模应用，据TrendForce集邦咨询研究，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4 亿美元。

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