抢攻第三代半导体，台积电第二代硅基板GaN技术平台预计今年完成

集微网消息，10月3日，据台媒《经济日报》报道，台积电拥有先进制程优势同时，也在积极布局第三代半导体，与联电、世界先进、力积电等同行共同争抢第三代半导体庞大商机。

报道指出，晶圆代工四强在营运策略上，不仅要降低行业景气循环带来的冲击，更要在5G射频、人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、汽车电子增长确立的趋势下，先蹲好马步练功，瞄准下一波的产业成长动能。

台积电董事长刘德音提及，第三代半导体产值偏小，应用端以汽车领域为多，属于特殊技术。尽管现阶段仍无法跟硅基（silicon base）半导体相比，不过台积电第三代半导体的产量应该还是最大。

业内人士指出，台积电与IDM厂及IC设计厂商合作，第一代硅基板氮化镓（GaN on Si）技术平台，已于去年完成并进一步强化，支持多元应用，开发中的第二代硅基板GaN技术平台预计今年内完成。

联电以转投资联颖光电投入第三代半导体。日前联颖研发副总邱显钦分析，联电集团和台积电在第三代半导体发展策略并不相同，台积电聚焦的是氮化镓（GaN）、主攻功率半导体，联电则是功率与微波并进。

此外，世界先进则是与设备材料、硅基板厂携手合作，开发8英寸新基板材料。世界先进认为，虽然化合物半导体占半导体整体市值仅1%，但氮化镓、碳化硅等新材料衍生的商机可期。（校对/武守哲）