英飞凌发布新型 CoolSiC MOSFET

近日，英飞凌发布新型 CoolSiC MOSFET，CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 是英飞凌科技股份公司的一项全新 CoolSiC 技术。复杂的碳化硅 (SiC)芯片将在广泛的产品中实现，包括使用 .XT 互连技术的分立封装和流行的 Easy 模块系列。

CoolSiC MOSFET 1200 V M1H 专为必须满足峰值需求的太阳能系统(如逆变器)而设计，也适用于快速电动汽车充电、储能系统和其他工业应用。