IGBT龙头：「中车时代半导体」拟斥资111亿扩产

9月22日，株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称“时代电气”）发布公告称，公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司（以下简称“中车时代半导体”）拟投资中低压功率器件产业化建设项目，项目投资总额约111.2亿元。

中车时代半导体本次主要投资项目包含两项——

• 中低压功率器件产业化（宜兴）一期建设项目：实施主体为宜兴中车时代半导体有限公司（暂定名，注册资本36亿元），项目投资金额约58.26亿元，达产后可新增年产36万片8英寸中低压组件基材产能（基建及公共设施具备72万片/年产能），产品主要用于新能源汽车领域。
  

• 中低压功率器件产业化（株洲）建设项目：实施主体为中车时代半导体，项目投资金额约52.93亿元，达产后可新增年产36万片8英寸中低压组件基材产能，产品主要应用于新能源发电及工控、家电领域。

IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，是目前发展最快的功率半导体器件之一，被业界称为电力电子装置的“CPU”，可广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。

尽管目前，IGBT市场主要被欧美日的企业所垄断，但近年来，随着新能源汽车、数据中心的快速发展、以及5G基站、工控等领域的推动，我国IGBT市场规模持续增长，预计到2025年，中国IGBT市场规模将达到522亿人民币，年复合增长率达19.11%。

目前中国已经成为全球最大的新能源汽车市场，但在中低压模块等方面进口依赖程度依然较高。以中低压模块为代表的关键核心技术是国之重器，国内半导体企业加大研发投入、提升关键核心技术创新能力以及扩大产能的需求较为迫切。

天风证券8月的调研数据显示，为满足下游旺盛需求，67%的大陆厂商有产线扩张计划，而未来，随着市场需求的持续推动以及国家政策的扶持，国内功率半导体产品国产化也将进一步提升。