甬粤芯半导体项目顺利在中心落户

近日，市经信局、区招商投资促进中心、区经信局、区新兴产业服务中心对接甬粤芯微电子第三代半导体项目，就项目核心诉求、技术优势、团队优势、未来三年内规划进行了深入交流，最终实现项目顺利注册。

项目主要合伙人之一“蓝箭电子”是国家级高新技术企业，国内领先的半导体器件专业研发制造商，已成为“中国半导体功率器件十强企业”。宁波市甬粤芯微电子科技有限公司主要从事第三代化合物半导体芯片和器件的研发、生产与销售，公司核心技术团队已掌握了外延生长、芯片设计、制造、封装、测试全环节核心技术，形成“设计+外延+制造+应用”的IDM模式，项目预计明年可上规，三年内产值一个亿。

国内第三代化合物半导体产能稀缺，该项目的成功落户，将填补江北区半导体设计领域产业空白，助推园区软件服务业提升发展。中心将进一步挖掘其他高新技术产业资源，促使更多的优质项目落户园区。

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第三代半导体产业链全景梳理

第三代半导体产业链分为原材料和设备、器件设计与制造、三代半器件/模块和下游应用四大环节。其中，原材料和设备包括SiC衬底、GaN衬底、外延片、湿电子化学品、电子特气及其他晶圆制造材料、封装材料和半导体核心设备。器件设计与制造有IDM和垂直分工两种模式，近年来我国涌现了一批设计和代工厂商。第三代半导体产品按照材料不同，可分为SiC器件/模块和GaN器件/模块，按应用方向可分为电力电子器件/模块、光电器件和微波射频器件/模块。第三代半导体应用市场广阔，在消费电子、汽车、移动通信、轨道交通、军事、照明等领域均有渗透。

经过多年发展，我国已基本完成了上游材料和设备、中游产品制造到下游应用的全产业链布局和创新链建设，国产化率不断提升，与国外的制程差异较硅基半导体来说相对较小。受益于我国半导体照明产业的发展，GaN光电器件和LED技术路线基本成熟并自主可控，有望引领第三代半导体在照明领域的技术革新。相较于LED领域，第三代半导体功率和射频产业将需要更长的培育时间。GaN射频器件部分实现国产替代，整体与国际先进水平还有3-5年的差距，主要体现在成本控制和产线供货能力。从需求端来看，电力电子器件潜力巨大，以新能源汽车、数据中心、5G通信、特高压和智能电网为主的应用对SiC、GaN电力电子器件需求明确，是实现“双碳”目标的一大抓手，但是在技术成熟度、产业化水平和产业链配套能力上与国外存在较大差距。

原材料和设备是第三代半导体产业链中附加值最高的环节，也是我国较为薄弱的环节。以SiC肖特基二极管为例，衬底成本约占50%，外延片成本占25%。SiC衬底已实现4英寸商业化，向6英寸过渡，国产化率不到5%，Cree和Rohm等国际龙头已成功研制8英寸衬底。日本住友电工、三菱化学和信越化学垄断了全球近90%的GaN衬底市场。瀚天天成、东莞天域是我国SiC外延片的主力厂商，实现部分自给但在尺寸、厚度、良率等方面都还有很大提升空间。尽管目前大部分设备仍然依赖进口，国产以仿制为主，但第三代半导体对部分设备例如EUV光刻机和干法刻蚀机的精细化要求不及硅基半导体，对我国而言，研发符合第三代半导体材料特性的单晶生长、加工、封测等核心装备是未来的一大发展机遇。

图1：第三代半导体产业链图谱

来源：火石创造产业数据中心，火石创造产业研究院绘制