湖南三安发布1200V SiC MOS新品，明年目标公布！

今年9月2日，湖南三安半导体主办的2022首届新能源汽车电驱动技术创新峰会在长沙圆满落幕。会上，湖南三安发布了基于6英寸全链整合平台的最新1200V SiC MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20 mΩ/16mΩ。

据介绍，湖南三安将最新1200V系列产品与友商的产品进行对比，测试结果显示其产品在比导通电阻特性，击穿电压特性和阈值电压稳定性上的表现更好，可有效提高电驱动系统的效率和可靠性。

据了解，三安集成于2020年宣布完成SiC MOSFET器件平台的打造，并推出1200V 80mΩ SiC MOSFET产品，适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域。

2021年，湖南三安的车规级SiC MOSFET开始配合多家车企开展流片设计和测试。而本次发布的SiC MOSFET系列旨在2023年实现整车和新能源汽车零部件的全面突破。

根据TrendForce集邦咨询最新《2022第三代半导体功率应用市场分析报告》显示，汽车应用将占据2022年SiC市场近67%的份额；与此同时，在全球汽车电气化的浪潮下，整车架构高压化的趋势越来越明显，预估2025年全球新能源汽车市场对6英寸SiC晶圆的需求可达169万片。

在此背景下，SiC厂商加大扩产力度，并更为积极地研究开发新产品，尤其是更高压的产品。就近期来看，在湖南三安新品发布会之前，国内第三代半导体企业芯塔电子也推出了新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET产品。各方在产品推陈出新的同时，不断加速产品测试和验证进程，推动SiC产品“上车”。

实际应用上，湖南三安的SiC二极管系列已经深入光伏、服务器电源和充电桩等领域的头部企业供应链，累计客户超过600家，已实现国内外客户的大规模出货。在新能源汽车领域，湖南三安SiC二极管的客户包含车载充电器领域头部企业和国内领先新能源汽车主机厂，产品开发和客户拓展进展顺利。

对外合作上，湖南三安今年3月与理想汽车共同成立了合资公司苏州斯科半导体有限公司，布局SiC芯片及模块等领域。8月，双方合资打造的SiC功率半导体研发和生产基地在江苏苏州启动建设。据悉，项目建成后将有助于SiC芯片制造与整车应用的全链打通，建立领先优势，确保供应链安全可靠。

2022年上半年，湖南三安实现营收2.09亿元，并且成功盈利净利润9046万元。由此可见，SiC产品已经成为三安光电的利润增长点。接下来，随着6英寸SiC晶圆产能的释放以及产业链协同作用的发挥，湖南三安的盈利能力有望继续提升，并助力国产SiC加速渗透全球新能源汽车市场。