【热点回顾】全球再添12英寸代工厂和存储厂；NAND Flash最新排名

“芯”闻摘要

• NAND Flash市场新消息

• 中芯国际500亿建12英寸厂

• 美光150亿美元建存储厂

• 中国高能离子注入机核心技术突破难关

• 中导光电新设备出机客户

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NAND Flash市场新消息

NAND Flash wafer合约价方面，TrendForce集邦咨询再次下修第三季NAND Flash wafer合约价，预估跌幅将由原先预估的15~20%，扩大至30~35%。

展望第四季NAND Flash wafer价格，TrendForce集邦咨询预期，第四季NAND Flash wafer恐再下跌20%，且由于产业倾向于第四季与后续第一季合并议价，在库存攀高、需求急冻的情况下，跌幅持续扩大的可能性仍在...详情请点击《Q3下跌30~35%，Q4再跌20%，NAND Flash wafer合约价预测》

营收方面，TrendForce集邦咨询研究显示，第二季度整体NAND Flash产业营收达181.2亿美元，季增1.1%。

其中，三星第二季位元出货虽然季减近10%，但得益于汇率及高容量产品的助力，产品组合转佳下，带动NAND Flash销售均价有所增加，营收达59.8亿美元，季减5.4%...详情请点击《合约价上涨抵消需求衰退，第二季NAND Flash总营收季增1.1%》

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中芯国际500亿建12英寸厂

近日，中芯国际与天津市西青经济开发集团有限公司和天津西青经济技术开发区管理委员会共同订立并签署《中芯国际天津12英寸晶圆代工生产线项目合作框架协议》。

中芯国际拟通过其全资子公司在西青开发区全资设立一家生产型独立法人公司，注册资本为50亿美元，本项目投资总额为75亿美元(约500亿人民币)。该公司主要由中芯国际运营管理。

此前中芯国际在半年报中提到，尽管消费电子需求疲软，但结构性紧缺情况仍将继续，汽车电子、绿色能源、工业控制等领域需求依然保持稳健增长。业界消息显示，市场还有充足的动能对12英寸产能进行消化...详情请点击《市场需求推动，中芯国际500亿大动作！》

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美光150亿美元建存储厂

9月1日，美光科技宣布，计划于2030年之前投资150亿美元，在爱达荷州博伊西（Boise）建造一座新的尖端存储器制造厂。

据悉，这是美光未来十年在全球投资超1500亿美元用于制造和研发计划的一部分，其中包括在2030年前投资400亿美元，在美国分多个阶段建立存储器制造厂。

公开资料显示，这将是20年来在美国本土新建的第一家存储器芯片制造工厂，也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。美光表示，公司将重点为美国本土市场的汽车和数据中心等行提供存储器芯片。目前，美光还未公开新工厂产能将生产何种芯片的详细信息...详情请点击《DRAM需求向弱？美光、三星蛰伏扩产蓄能》

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高能离子注入机核心技术突破难关

据“中国电科”报道，国内高能离子注入机核心技术难关得到突破！由中国电科所属北京烁科中科信设备研发团队自主研制的国内首台高能离子注入机已顺利进驻国内先进集成电路大生产线。

低能大束流离子注入机被应用于制程逻辑、DRAM、3D存储器和CIS芯片制造中，高能离子注入机则较多应用在功率器件、IGBT、5G射频、CIS、逻辑芯片等器件制备过程中。

“中国电科”消息指出，北京烁科中科信设备研发团队实现了中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等全谱系离子注入机自主创新发展，大幅缩小了与国际一流水平差距...详情请点击《中国高能离子注入机核心技术难关得到突破！》

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中导光电新设备出机客户

近日，由中导光电研发制造的“纳米级有图形晶圆缺陷检测设备”NanoPro-150运交客户工厂。该客户由国内半导体芯片制造业巨匠加盟指导，是国内IGBT制造领域的知名企业。

此次交付的NanoPro-150机型是国内半导体前道制程有图形检测设备国产化的一次突破。中导光电的NanoPro-1XX产品系列最高灵敏度达100nm，适用于半导体芯片0.13μm-0.18μm及以上制造工艺需求。

中导光电目前进入销售和量产的NanoPro-1XX系列产品和MDI亚微米检测设备，加上NanoPro-2XX和NanoPro-3XX将先后进入市场，可覆盖国内半导体前道检测设备需求市场的90%以上，给中国半导体工业检测设备的国产化带来曙光...详情请点击《中导光电纳米级有图形晶圆缺陷检测设备出机客户》

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