42亿，又一化合物半导体项目落户

近日，在第八届中国广州国际投资年会增城区平行分会暨市区合作交流活动上，12个重点项目签约落户增城，涵盖制造业、半导体、新一代信息技术、能源及环保装备、服务业、智能制造等领域，其中包括总投资42亿元的新型先进化合物半导体全产业链项目。

就半导体领域而言，化合物半导体或者更小范围的第三代半导体，已成为广州近年来的重要发力点，既围绕了广州“芯”“显”“车”特色产业展开布局，也符合国内推动半导体等高端技术国产化替代的政策和趋势。

在项目建设方面，广州早在2020年便开始规划第三代半导体项目的建设。

2020年底，广州第三代半导体创新中心建设项目签约落户广州黄埔，主要聚焦大尺寸GaN外延材料生长、GaN微波毫米波器件与集成电路、GaN电力电子器件与集成电路等技术，总投资4.54亿元。2021年10月12日，该项目获得复核通过，并于2021年11月开建，当时预计2022年7月结束。

项目的建设单位是西安电子科技大学广州研究院，拟建设第三代半导体GaN研发线一条，中试线一条，中试能力达到折合6英寸晶圆1000片/年。同时，创新中心拟将建设第三代半导体的公共技术研发服务平台，主要包括器件和集成电路设计平台、加工平台及测试分析平台。

同样在2020年底，广州南沙区宣布成立第三代半导体创新中心，在当时的论坛期间，芯聚能、晶科电子、南砂晶圆半导体、恒大新能源汽车、山东大学新一代半导体材料研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟代表6家首批发起单位共同签约。

该创新中心重点瞄向新能源汽车、充电桩、光伏逆变、轨道交通、能源互联网、消费电子等方向，全链条布局第三代半导体，同时深化主机厂商合作，以汽车半导体为切入点带动第三代半导体发展和应用。2021年3月，广州南沙区第三代半导体创新中心正式成立。

政策方面，广州今年出台了利好第三代半导体的行动计划。在广州市工业和信息化局3月17日公布的《广州市半导体与集成电路产业发展行动计划（2022-2024年）》中提出多项重点任务，其中包含布局发展宽禁带半导体，具体内容是：支持SiC、GaN等宽禁带半导体衬底、外延、设计及制造全产业链发展，支持龙头企业发展IDM（垂直整合）模式。

同时，布局4-6英寸SiC衬底片、外延片生产线，加速8英寸项目研发及产业化，建设6-8英寸及以上SiC芯片生产线，支持建设硅基/碳化硅基GaN功率/射频器件生产线，实现工业级、车规级的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）电力电子器件及面向雷达、基站等应用的射频器件研发和量产。

在政策的支持和推动下，随着相关项目的建设和投入使用，广州将进一步深化化合物半导体全产业链布局，完善产业上下游配套，同时协同汽车产业、新型显示、封测产业、能源技术等其他产业发展，构建完整的智造产业生态。

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